型号等于：	IRFR120N (1)
型号起始：	IRFR120N* (1) IRFR120NC* (1) IRFR120NP* (3) IRFR120NT* (7)
所属品牌：	不限 INFINEON(10) KERSEMI(1) UMW(1)
功能分类：	不限局域网(7) 开关(9) 脉冲(9) 晶体管(9) 晶体(5) 功率场效应晶体管(4)

IRFR120N - 型号起始; 总记录数：15

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFR120N 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFR120NCLPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Surface Mount (IRFR120N)
		IRFR120NCPBF 中文翻译品牌: INFINEON	元器件封装:D-PAK;
		IRFR120NCTRLPBF 中文翻译品牌: INFINEON	元器件封装:D-PAK;
		IRFR120NPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Fast Switching 快速开关	晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
		IRFR120NPBF 中文翻译品牌: KERSEMI	Surface Mount (IRFR120N) Straight Lead (IRFU120N) 表面贴装（ IRFR120N ）直铅（ IRFU120N ）	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFR120NPBF_15 中文翻译品牌: INFINEON	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
		IRFR120NTR 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3	局域网开关脉冲晶体管
		IRFR120NTR 中文翻译品牌: UMW	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:9.4A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:21mΩ@10V
		IRFR120NTRL 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3	局域网开关脉冲晶体管
		IRFR120NTRLPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR120NTRPBF EDA模型中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR120NTRPBF 中文翻译品牌: VBSEMI	元器件封装:TO252;
		IRFR120NTRR 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3	局域网开关脉冲晶体管
		IRFR120NTRRPBF 中文翻译品牌: INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, D	局域网开关脉冲晶体管

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