| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR310TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRFR310TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR310TRL
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR310TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR310TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRFR310TRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR320
中文翻译 品牌: INTERSIL |
3.1A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 3.1A ， 400V ， 1.800 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR320
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A) 功率MOSFET （ VDSS = 400V ， RDS（ON） = 1.8ohm ，ID = 3.1A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR320
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR320
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR3209A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 3.1AI （D ） | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR320BTM
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR320BTM
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
3.1A, 400V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR320PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR320PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR320PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR320TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR320TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR321
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.1A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 3.1AI （D ） | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR322
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 2.6AI （D ） | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR3303PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR3303PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
HEXFET Power MOSFET ???????? HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR330BTM
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
4.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR330BTM_NL
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR3410
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR3410
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET Power MOSFET ?? HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR3410
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses 低栅极 - 漏极电荷降低开关损耗 |
晶体 栅极 开关 晶体管 脉冲 | |||
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IRFR3410TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR3410TRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR3410TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 |