型号等于：	IRFR310 (3) IRFR311 (1) IRFR312 (1)
型号起始：	IRFR31* (23) IRFR310* (21) IRFR311* (1) IRFR312* (1)
所属品牌：	不限 VISHAY(9) KERSEMI(8) FAIRCHILD(2) INFINEON(2) ETC(1) SAMSUNG(1)
功能分类：	不限晶体(7) 晶体管(7) 功率场效应晶体管(5) 开关(6) 脉冲(4)

IRFR31 - 型号起始; 总记录数：27

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFR310 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=1.7A) 功率MOSFET （ VDSS = 400V ， RDS（ON） = 3.6ohm ，ID = 1.7A ）
		IRFR310 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR310 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET
		IRFR3103 中文翻译品牌: INFINEON	元器件封装:D-PAK;
		IRFR3103TR 中文翻译品牌: INFINEON	元器件封装:D-PAK;
		IRFR3103TRL 中文翻译品牌: INFINEON	元器件封装:D-PAK;
		IRFR3103TRR 中文翻译品牌: INFINEON	元器件封装:D-PAK;
		IRFR310A 中文翻译品牌: FAIRCHILD	Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET
		IRFR310B 中文翻译品牌: FAIRCHILD	400V N-Channel MOSFET 400V N沟道MOSFET
		IRFR310PBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR310PBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=3.6ヘ , ID=1.7A ) HEXFET功率MOSFET（ VDSS = 400V ， RDS （ ON） = 3.6ヘ， ID = 1.7A ）
		IRFR310PBF 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR310TR 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关
		IRFR310TRA 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR310TRL 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR310TRL 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲
		IRFR310TRLA 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR310TRLPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR310TRLPBFA 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR310TRPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关
		IRFR310TRPBFA 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR310TRR 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
		IRFR310TRRPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
		IRFR310TRRPBFA 中文翻译品牌: KERSEMI	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFR311 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 1.7A I(D) \| TO-252AA 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 350V V（ BR ） DSS \| 1.7AI （D ） \| TO- 252AA\n	晶体晶体管
		IRFR312 中文翻译品牌: SAMSUNG	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 400V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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