| 型号等于： | IRFR5305TR (1) |
| 型号起始： | IRFR5305T* (8) IRFR5305TR* (8) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(5) KERSEMI(1) UMW(1) VBSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 开关(6) 脉冲(6) 晶体管(6) 晶体(4) 功率场效应晶体管(3) 局域网(3) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR5305TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-30A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:40mΩ@-10V | ||||
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IRFR5305TRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR5305TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR5305TRPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR5305TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR5305TRPBF
中文翻译 品牌: VBSEMI |
元器件封装:TO252; | ||||
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IRFR5305TRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR5305TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 |
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