| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
IRFS3006TRL7PP
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, LEAD FREE, TO-263CB, D | 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
 |
IRFS3006TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
IRFS3006TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
 |
IRFS30N20D
中文翻译 品牌: ETC |
|||||
|
IRFS30N20DTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | ||||
|
IRFS30N20DTRR
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 30A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 | |||
|
IRFS30N20DTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | ||||
|
 |
IRFS3107
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
IRFS3107-7P
中文翻译 品牌: INFINEON |
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 引脚封装 | ||||
|
 |
IRFS3107-7PPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC | ||
|
 |
IRFS3107PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
|||
|
 |
IRFS3107TRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D | 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
IRFS3107TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D | ||||
|
 |
IRFS31N20D
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.082ohm ，ID = 31A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
|
IRFS31N20DHR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
|
 |
IRFS31N20DPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS （ ON）最大值= 0.082ヘ， ID = 31A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
|
IRFS31N20DTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 31A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 | |||
|
 |
IRFS31N20DTRLP
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
 |
IRFS31N20DTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 31A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
|
 |
IRFS31N20DTRRP
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
|
 |
IRFS3206
中文翻译 品牌: INFINEON |
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 | |||
|
 |
IRFS3206PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
|
IRFS3206TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
|
 |
IRFS3206TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
|
 |
IRFS3207
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
|||
|
 |
IRFS3207PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
|
 |
IRFS3207TRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D | |||
|
IRFS3207TRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | ||||
|
IRFS3207TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D | 开关 脉冲 晶体管 | |||
|
IRFS3207Z
中文翻译 品牌: INFINEON |
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 |