| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS11N50A
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFS11N50A
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS11N50A, SiHFS11N50A
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFS11N50APBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS11N50APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS11N50ATRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFS11N50ATRLP
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |||
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IRFS11N50ATRLPA
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFS11N50ATRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS11N50ATRR
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 11A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 11A I（ D） | TO- 263AB |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS11N50ATRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | |||
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IRFS11N50ATRRP
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |||
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IRFS11N50ATRRPA
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFS11N50ATRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFS11N50A_V01
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFS130
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS131
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS132
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS133
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS140
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 19.4A I(D) | SOT-186VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 19.4AI （D ） | SOT- 186VAR\n |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRFS140A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
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IRFS141
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19.4A I(D) | SOT-186VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 19.4AI （D ） | SOT- 186VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFS142
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS143
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS150
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 27.7AI （D ） | SOT- 186VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFS150A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS151
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 27.7AI （D ） | SOT- 186VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFS152
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS153
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 80V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS17N20D
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.17ohm, Id=16A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.17ohm ，ID = 16A） |