| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS3507PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFS3507TRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFS3507TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:D2PAK; | |||
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IRFS3507TRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFS3507TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFS350A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
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IRFS350A
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-3PF; | |||
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IRFS351
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 10.4AI （D ） | SOT- 186VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFS352
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS353
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS3607
中文翻译 品牌: INFINEON |
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 | ||||
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IRFS3607PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFS3607TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS ??高效率同步整流开关电源 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | ||
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IRFS3607TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFS3806
中文翻译 品牌: INFINEON |
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 | ||||
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IRFS3806PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETPower MOSFET ?? HEXFET功率MOSFET |
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IRFS3806TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS3806TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFS38N20D
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.054ohm ，ID = 44A ） |
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IRFS38N20DPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFS38N20DTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 44A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFS38N20DTRLP
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETPower MOSFET ?? HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFS38N20DTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3/2 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFS38N20DTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 44A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFS38N20DTRRP
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:D2PAK; | |||
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IRFS38N20DTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 200V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFS4010
中文翻译 品牌: INFINEON |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications re | ||||
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IRFS4010-7P
中文翻译 品牌: INFINEON |
100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 引脚封装 | ||||
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IRFS4010-7PPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFS4010PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |