| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS4010TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):180A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):4.7 mOhm @ 106A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):215nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):375W (Tc);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作 | 栅 栅极 | ||
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IRFS640A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Rugged Gate Oxide Technology 坚固的门栅氧化层技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | ||
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IRFS640A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved gate charge 改进的栅极电荷 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS7434-7PPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel | 栅 | ||
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IRFS7434TRL7PP
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, N-Channel | 栅 | ||
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IRFS7734TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):75 V ;额定电流Id(A):183A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):3.5 毫欧 @ 100A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):270 nC @ | 栅 栅极 |
Total:61
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