品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS630
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS630A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
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IRFS630B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
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IRFS631
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS632
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS634
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS634A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Advanced Power MOSEFT 高级电源MOSEFT |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFS634B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
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IRFS634B
中文翻译 品牌: KERSEMI |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
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IRFS634B_FP001
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-220F-3; | |||
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IRFS635
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
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