品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
![]() |
IRFS640
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved inductive ruggedness 改进的感应耐用 |
|||
![]() |
![]() |
IRFS640A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Rugged Gate Oxide Technology 坚固的门栅氧化层技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | ||
![]() |
![]() |
IRFS640B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
![]() |
![]() |
IRFS640B
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
![]() |
![]() |
IRFS640B_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
![]() |
![]() |
IRFS640B_FP001
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
![]() |
![]() |
IRFS641
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved inductive ruggedness 改进的感应耐用 |
|||
![]() |
![]() |
IRFS642
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
![]() |
![]() |
IRFS644A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | ||
![]() |
![]() |
IRFS645
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
Total:101
总10条记录,每页显示30条记录分1页显示。