品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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42S16800A
中文翻译 品牌: ISSI |
16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 16兆×8 , 8Meg X16和4Meg ×32 128兆位同步DRAM |
动态存储器 | |||
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46DR83200A
中文翻译 品牌: ISSI |
32Mx8, 16Mx16 DDR2 DRAM 32Mx8 , 16Mx16 DDR2 DRAM |
动态存储器 双倍数据速率 | |||
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IC41C16100S-45K
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16100S-45KI
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16100S-45TG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16100S-45TI
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16100S-45TIG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16100S-50TG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16100S-50TI
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16100S-50TIG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16100S-60KG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16105-50K
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16105-50KI
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105-50T
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105-50TI
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105-60K
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105-60KI
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105-60T
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16105-60TI
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105S-50K
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16105S-50KI
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105S-50T
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105S-50TI
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105S-60KI
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16105S-60T
中文翻译 品牌: ISSI |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16256-25KIG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16256-25TG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 256KX16, 25ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-40 | 动态存储器 光电二极管 | |||
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IC41C16256-35KG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16256-35TIG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-40 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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IC41C16256-50KG
中文翻译 品牌: ISSI |
EDO DRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-40 | 动态存储器 光电二极管 内存集成电路 |
ISSI是什么品牌:ISSI1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com,Alcatel,Cisco,Ericsson,HewlettPackard,IBM,Lexmark,Motorola,Nokia,Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州SantaClara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的CharteredSemiconductor都是它的合作伙伴。