| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
JAN1N3821
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | ||
|
|
JAN1N3821A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | ||
|
 |
JAN1N3821A-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
 |
JAN1N3821A-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;元器件封装:DO-41; | ||||
|
JAN1N3821A-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:100 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
|
JAN1N3821ATR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
|
 |
JAN1N3821AUR-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | ||
|
JAN1N3821AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:100 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.3 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
|
JAN1N3821AUR-1TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
|
JAN1N3821C-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;元器件封装:DO-41; | ||||
|
JAN1N3821C-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:100 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
|
 |
JAN1N3821CUR-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, DO-213AB, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
|
JAN1N3821CUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:100 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.3 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
|
JAN1N3821D-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;元器件封装:DO-41; | ||||
|
JAN1N3821D-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:100 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
 |
JAN1N3821DUR-1
中文翻译 品牌: CDI-DIODE |
Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, DO-213AB, 2 PIN | 测试 二极管 | |||
|
JAN1N3821DUR-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;元器件封装:DO-213; | ||||
|
JAN1N3821DUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:100 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.3 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
|
JAN1N3821TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
|
JAN1N3821UR-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | |||
|
JAN1N3821UR-1TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
|
|
JAN1N3822
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | ||
|
|
JAN1N3822A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | ||
|
 |
JAN1N3822A-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 3.6V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
|
JAN1N3822A-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;元器件封装:DO-41; | ||||
|
JAN1N3822ATR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
|
 |
JAN1N3822AUR-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | ||
|
JAN1N3822AUR-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;元器件封装:DO-213; | ||||
|
JAN1N3822AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:75 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.6 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
|
JAN1N3822AUR-1TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 |