| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JAN1N3823DUR-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;元器件封装:DO-213; | ||||
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JAN1N3823DUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:25 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):3.9 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N3823TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
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JAN1N3823UR-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | |||
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JAN1N3823UR-1TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
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JAN1N3824
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | ||
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JAN1N3824A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | ||
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JAN1N3824A-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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JAN1N3824A-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;元器件封装:DO-41; | ||||
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JAN1N3824A-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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JAN1N3824ATR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
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JAN1N3824AUR-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | ||
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JAN1N3824AUR-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;元器件封装:DO-213; | ||||
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JAN1N3824AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N3824AUR-1TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
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JAN1N3824C-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 4.3V V(Z), 2%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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JAN1N3824C-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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JAN1N3824CUR-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 4.3V V(Z), 2%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, DO-213AB, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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JAN1N3824CUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N3824D-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;元器件封装:DO-41; | ||||
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JAN1N3824D-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.3 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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JAN1N3824DUR-1
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±1%;元器件封装:DO-213; | ||||
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JAN1N3824TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
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JAN1N3824UR-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
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JAN1N3824UR-1TR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 | |||
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JAN1N3825
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | |||
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JAN1N3825A
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 测试 | |||
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JAN1N3825A-1
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN | 测试 二极管 | ||
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JAN1N3825A-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:1 W;反向电流（Ir）:5 µA @ 1 V;额定稳压值(Vz):4.7 V;元器件封装:DO-41; | 光电二极管 | |||
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JAN1N3825ATR
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管 |
二极管 齐纳二极管 |