型号起始:JR28F06* (8) JR28F064* (8)
所属品牌:不限 MICRON(8)
功能分类:不限
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
JR28F064M29EWBA
中文翻译 品牌: MICRON
Parallel NOR Flash Embedded Memory
JR28F064M29EWHA
中文翻译 品牌: MICRON
Parallel NOR Flash Embedded Memory
JR28F064M29EWHB
中文翻译 品牌: MICRON
Parallel NOR Flash Embedded Memory
JR28F064M29EWHBTR
中文翻译 品牌: MICRON
存储容量(Mb):64Mb(8M x 8,4M x 16);内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k):8M ;最大存取时间(ns):70ns;最小工作电压(V):2.7V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:48-TSOP; 存储
JR28F064M29EWLA
中文翻译 品牌: MICRON
Parallel NOR Flash Embedded Memory
JR28F064M29EWLB
中文翻译 品牌: MICRON
Parallel NOR Flash Embedded Memory
JR28F064M29EWLBTR
中文翻译 品牌: MICRON
存储容量(Mb):64Mb(8M x 8,4M x 16);内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k):8M ;最大存取时间(ns):70ns;最小工作电压(V):2.7V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:48-TSOP; 存储
JR28F064M29EWTA
中文翻译 品牌: MICRON
Parallel NOR Flash Embedded Memory
JR28F064M29EWTB
中文翻译 品牌: MICRON
Parallel NOR Flash Embedded Memory
JR28F064M29EWTBTR
中文翻译 品牌: MICRON
存储容量(Mb):64Mb(8M x 8,4M x 16);内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k):8M ;最大存取时间(ns):70ns;最小工作电压(V):2.7V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:48-TSOP; 存储
JR28F064M29EWXX
中文翻译 品牌: MICRON
Parallel NOR Flash Embedded Memory
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