| 型号等于： | JR28F064M29EWTA (1) JR28F064M29EWTB (1) |
| 型号起始： | JR28F064M29EWT* (3) JR28F064M29EWTA* (1) JR28F064M29EWTB* (2) |
| 所属品牌： | 不限 MICRON(3) |
| 功能分类： | 不限 存储(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JR28F064M29EWTA
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory | |||
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JR28F064M29EWTB
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory | ||||
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JR28F064M29EWTBTR
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):64Mb（8M x 8，4M x 16）;内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k):8M ;最大存取时间(ns）:70ns;最小工作电压(V):2.7V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:48-TSOP; | 存储 |
Total:31
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