| 型号起始： | JS28F06* (6) JS28F064* (6) |
| 所属品牌： | 不限 MICRON(6) |
| 功能分类： | 不限 PC(4) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JS28F064M29EWBA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F064M29EWHA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F064M29EWLA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F064M29EWLB
中文翻译 品牌: MICRON |
(x8/x16), 3V, Single Bit Per Cell, Page Read, Parallel NOR Flash Memory | ||||
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JS28F064M29EWLBTR
中文翻译 品牌: MICRON |
存储容量(Mb):64Mb（8M x 8，4M x 16）;内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k):8M ;最大存取时间(ns）:70ns;最小工作电压(V):2.7V;最大工作电压(V):3.6V;元器件封装:56-TSOP; | 存储 | |||
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JS28F064M29EWTA
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F064M29EWXX
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory |
Total:71
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