| 型号起始： | JS28F25* (55) JS28F256* (55) |
| 所属品牌： | 不限 MICRON(24) NUMONYX(16) INTEL(15) |
| 功能分类： | 不限 闪存(28) 存储(17) 内存集成电路(18) 光电二极管(25) PC(6) 时钟(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JS28F256J3A-110
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3A-115
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3A-120
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3A-125
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3A-150
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3C-110
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3C-115
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3C-120
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3C-125
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F256J3C-150
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F256J3C125
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash® Memory 英特尔StrataFlash®内存 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F256J3D-95
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 存储 闪存 | |||
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JS28F256J3D95B
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 | ||
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JS28F256J3F105
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 16MX16, 105ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F256J3F105A
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F256J3F105A
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 16MX16, 105ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 | ||
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JS28F256J3F105B
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | |||
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JS28F256M29EWHA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F256M29EWHB
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F256M29EWLA
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F256M29EWLB
中文翻译 品牌: MICRON |
Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器 |
闪存 存储 | ||
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JS28F256P30B
中文翻译 品牌: MICRON |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） |
闪存 存储 | |||
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JS28F256P30B85
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Embedded Memory 英特尔的StrataFlash嵌入式存储器 |
存储 | |||
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JS28F256P30B95
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F256P30B95A
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 | ||
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JS28F256P30B95A
中文翻译 品牌: MICRON |
Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器 |
存储 内存集成电路 光电二极管 | |||
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JS28F256P30B95B
中文翻译 品牌: NUMONYX |
暂无描述 | 闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | |||
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JS28F256P30BF
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 | 时钟 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F256P30BFA
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F256P30BFA
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 16MX16, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 |