型号等于：	JS28F256P30B (2) JS28F256P30BF (1)
型号起始：	JS28F256P30B* (13) JS28F256P30B8* (1) JS28F256P30B9* (4) JS28F256P30BF* (6)
所属品牌：	不限 MICRON(6) NUMONYX(5) INTEL(1)
功能分类：	不限闪存(4) 存储(5) 内存集成电路(5) 光电二极管(6) PC(1) 时钟(1)

JS28F256P30B - 型号起始; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		JS28F256P30B 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储
		JS28F256P30B85 中文翻译品牌: INTEL	Intel StrataFlash Embedded Memory 英特尔的StrataFlash嵌入式存储器	存储
		JS28F256P30B95 中文翻译品牌: NUMONYX	Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F256P30B95A 中文翻译品牌: NUMONYX	Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56	光电二极管内存集成电路
		JS28F256P30B95A 中文翻译品牌: MICRON	Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器	存储内存集成电路光电二极管
		JS28F256P30B95B 中文翻译品牌: NUMONYX	暂无描述	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F256P30BF 中文翻译品牌: NUMONYX	Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56	时钟光电二极管内存集成电路闪存
		JS28F256P30BFA 中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F256P30BFA 中文翻译品牌: NUMONYX	Flash, 16MX16, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56	光电二极管
		JS28F256P30BFB 中文翻译品牌: MICRON	1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
		JS28F256P30BFE EDA模型中文翻译品牌: MICRON	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 256MB和512MB （256 / 256MB ）， P30-65nm
		JS28F256P30BFF 中文翻译品牌: MICRON	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm 256MB和512MB （256 / 256MB ）， P30-65nm

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