型号起始：	JS28F51* (17) JS28F512* (17)
所属品牌：	不限 MICRON(13) NUMONYX(4)
功能分类：	不限光电二极管(11) 内存集成电路(11) 闪存(12) 存储(7) PC(2)

JS28F51 - 型号起始; 总记录数：20

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		JS28F512M29EWH0 EDA模型中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):512Mb（64M x 8，32M x 16）;内存数据长度(bit):64M ;字编码数(k):64M ;元器件封装:56-TSOP;	存储
		JS28F512M29EWHA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F512M29EWHB 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F512M29EWL0 中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):512Mb（64M x 8，32M x 16）;内存数据长度(bit):64M ;字编码数(k):64M ;元器件封装:56-TSOP;	存储
		JS28F512M29EWLA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F512M29EWLB 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F512P30BF 中文翻译品牌: NUMONYX	Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56	光电二极管内存集成电路闪存
		JS28F512P30BF 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F512P30BFA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F512P30BFA 中文翻译品牌: NUMONYX	Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56	光电二极管内存集成电路闪存
		JS28F512P30EF 中文翻译品牌: NUMONYX	Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56	光电二极管内存集成电路闪存
		JS28F512P30EF 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F512P30EFA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu	PC
		JS28F512P30TF 中文翻译品牌: NUMONYX	Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56	光电二极管内存集成电路闪存
		JS28F512P30TF 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F512P30TFA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory 恒忆Axcell P30-65nm闪存	闪存
		JS28F512P33BFD 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)	光电二极管内存集成电路
		JS28F512P33EF0 中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):512Mb（32M x 16）;内存数据长度(bit):32M ;字编码数(k):32M ;最大时钟频率(MHz):40 MHz;元器件封装:56-TSOP;	时钟存储
		JS28F512P33EFA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)	光电二极管内存集成电路
		JS28F512P33TFA 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm)	光电二极管内存集成电路

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