| 型号起始： | JS28F64* (40) JS28F640* (40) |
| 所属品牌： | 不限 NUMONYX(16) INTEL(15) MICRON(9) |
| 功能分类： | 不限 闪存(26) 光电二极管(16) 内存集成电路(16) 存储(11) PC(5) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JS28F640J3A-110
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3A-115
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3A-120
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3A-125
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3A-150
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C-110
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C-115
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F640J3C-120
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C-125
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C-150
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C115
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash® Memory 英特尔StrataFlash®内存 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F640J3D-75
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 v. D) 恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F640J3D75B
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 | ||
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JS28F640J3D75D
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F640J3D75E
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F640J3D75F
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 存储 闪存 | ||
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JS28F640J3F-75
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F640J3F75A
中文翻译 品牌: MICRON |
Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm) Single Bit per Cell (SBC) Numonyx®嵌入式闪存（ J3 65 nm）的单细胞每比特（ SBC ） |
闪存 | ||
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JS28F640J3F75B
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F640J3F75D
中文翻译 品牌: MICRON |
32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC) | ||||
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JS28F640J3F75E
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F640P30B85
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Embedded Memory 英特尔的StrataFlash嵌入式存储器 |
存储 | |||
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JS28F640P30B85
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器 |
存储 | |||
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JS28F640P30B85A
中文翻译 品牌: NUMONYX |
暂无描述 | 存储 | ||
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JS28F640P30B85B
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 88ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 存储 | ||
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JS28F640P30BF75A
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F640P30BF75D
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
64Mb, 128Mb, 65nm, Single Bit Per Cell, Parallel NOR Flash | ||||
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JS28F640P30T85
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Embedded Memory 英特尔的StrataFlash嵌入式存储器 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F640P30T85
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Numonyx StrataFlash Embedded Memory 恒忆的StrataFlash嵌入式存储器 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F640P30T85A
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 88ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 |