| 型号起始： | JS28F640J* (21) JS28F640J3* (21) |
| 所属品牌： | 不限 INTEL(11) NUMONYX(6) MICRON(4) |
| 功能分类： | 不限 闪存(17) 光电二极管(8) 内存集成电路(8) 存储(4) PC(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JS28F640J3A-110
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3A-115
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3A-120
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3A-125
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3A-150
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C-110
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C-115
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F640J3C-120
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C-125
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C-150
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash Memory (J3) 英特尔StrataFlash闪存（ J3 ） |
闪存 | |||
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JS28F640J3C115
中文翻译 品牌: INTEL |
Intel StrataFlash® Memory 英特尔StrataFlash®内存 |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F640J3D-75
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 v. D) 恒忆™嵌入式闪存（ J3 V 。 D） |
闪存 存储 内存集成电路 光电二极管 | ||
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JS28F640J3D75B
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 | ||
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JS28F640J3D75D
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F640J3D75E
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F640J3D75F
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 存储 闪存 | ||
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JS28F640J3F-75
中文翻译 品牌: NUMONYX |
Flash, 4MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56 | 光电二极管 内存集成电路 闪存 | ||
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JS28F640J3F75A
中文翻译 品牌: MICRON |
Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm) Single Bit per Cell (SBC) Numonyx®嵌入式闪存（ J3 65 nm）的单细胞每比特（ SBC ） |
闪存 | ||
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JS28F640J3F75B
EDA模型
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC | ||
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JS28F640J3F75D
中文翻译 品牌: MICRON |
32Mb, 64Mb, 128Mb, 65nm Embedded Parallel NOR Flash Memory, Single Bit Per Cell (SBC) | ||||
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JS28F640J3F75E
中文翻译 品牌: MICRON |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semicondu | PC |
Total:211
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