| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N2325
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
SCR150V灵敏栅极通孔TO-39（TO-205AD） | 栅 栅极 | |||
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ATA6821-TUQ
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):16V;最大供电电压(V):30V;峰值输出灌电流(A):4A;峰值输出拉电流(A):4A;驱动配置:低端;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):12ns;下降时间(ns):12ns;元器件封装:14-SOIC; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | ||
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ATA6821-TUSY
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):16V;最大供电电压(V):30V;峰值输出灌电流(A):4A;峰值输出拉电流(A):4A;驱动配置:低端;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):12ns;下降时间(ns):12ns;元器件封装:14-SOIC; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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HT0440K6-G
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):3.15V;最大供电电压(V):5.5V;逻辑输入低电压(V):0.5V;逻辑输入高电压(V):3.15V;驱动配置:高端;通道类型:同步;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):650µs;下降时间(ns):3ms（最大）;元器件封装:10-DFN; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
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HT0440LG-G
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):3.15V;最大供电电压(V):5.5V;逻辑输入低电压(V):0.5V;逻辑输入高电压(V):3.15V;驱动配置:高端;通道类型:同步;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):650µs;下降时间(ns):3ms（最大）;元器件封装:8-SOIC; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
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ICREGCTRLRMULTTOPOLOGY8MSOP
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
低端栅极驱动器IC反相8-SOIC | 栅极驱动 驱动器 | |||
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MCP14A1202T-E/SNVAO
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):18V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:低端;通道类型:同步;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):25ns;下降时间(ns):25ns;元器件封装:8-SOIC; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | |||
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MCP14E4-E/SN
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):18V;峰值输出灌电流(A):4A;峰值输出拉电流(A):4A;驱动配置:低端 ;通道类型:独立式 ;驱动器数:2 ;栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET ;上升时间(ns):15ns;下降时间(ns):18ns;元器件封装:8-SO | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | ||
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MD1822K6-G
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):5V;最大供电电压(V):10V;峰值输出灌电流(A):2A;峰值输出拉电流(A):2A;驱动配置:半桥 ;通道类型:独立式 ;驱动器数:4 ;栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET ;上升时间(ns):7ns;下降时间(ns):7ns;元器件封装:16-QFN; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
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MIC4421AYN
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):18V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):3V;峰值输出灌电流(A):9A;峰值输出拉电流(A):9A;驱动配置:低端;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):20ns;下降时间(ns): | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
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MIC4424CWMTR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
低端栅极驱动器IC非反相16-SOIC | 栅极驱动 驱动器 | |||
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MIC4424YN
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2.4V;峰值输出灌电流(A):3A;峰值输出拉电流(A):3A;驱动配置:低端;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道，P 沟道 MOSFET;上升时间(ns):28ns;下降时间(ns):32ns;元器件封装:8-PDIP; | 栅 驱动 光电二极管 驱动器 栅极 | ||
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MIC4468CWMTR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
低端栅极驱动器IC非反相16-SOIC | 栅极驱动 驱动器 | |||
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MIC4469BWMTR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
低端栅极驱动器IC反相，非反相16-SOIC | 栅极驱动 驱动器 | |||
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MIC4807BN
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):4.5V;最大供电电压(V):16V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:低端;通道类型:同步;驱动器数:8;栅极类型:N 沟道 MOSFET;元器件封装:18-DIP; | 栅 驱动 驱动器 栅极 | ||
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MIC5014BM-TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):2.75V;最大供电电压(V):30V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:高压侧或低压侧;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:N 沟道 MOSFET;元器件封装:8-SOIC; | 栅 驱动 高压 驱动器 栅极 | ||
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MIC5015BM
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):2.75V;最大供电电压(V):30V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:高压侧或低压侧;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:N 沟道 MOSFET;元器件封装:8-SOIC; | 栅 驱动 高压 驱动器 栅极 | ||
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MIC5015YM-TR
EDA模型
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):2.75V;最大供电电压(V):30V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:高压侧或低压侧;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:N 沟道 MOSFET;元器件封装:8-SOIC; | 栅 驱动 高压 驱动器 栅极 | ||
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MIC5015YN
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):2.75V;最大供电电压(V):30V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:高压侧或低压侧;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:N 沟道 MOSFET;元器件封装:8-PDIP; | 栅 驱动 高压 光电二极管 驱动器 栅极 | ||
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MIC5016BWM
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):2.75V;最大供电电压(V):30V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:高压侧或低压侧;通道类型:独立式;驱动器数:2;栅极类型:N 沟道 MOSFET;元器件封装:16-SOIC; | 栅 驱动 高压 驱动器 栅极 | ||
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MIC5018BM4TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
高端栅极驱动器IC非反相SOT-143 | 栅极驱动 驱动器 | |||
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MIC5021BM
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):12V;最大供电电压(V):36V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:高端;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):400ns;下降时间(ns):400ns;元器件封装:8-SOIC; | 栅 驱动 双极性晶体管 驱动器 栅极 | ||
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MIC5021BN
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
最小供电电压(V):12V;最大供电电压(V):36V;逻辑输入低电压(V):0.8V;逻辑输入高电压(V):2V;驱动配置:高端;通道类型:单路;驱动器数:1;栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET;上升时间(ns):400ns;下降时间(ns):400ns;元器件封装:8-PDIP; | 栅 驱动 双极性晶体管 光电二极管 驱动器 栅极 | ||
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SY100E101JC
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
OR/NOR Gate, 100E Series, 4-Func, 4-Input, ECL, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 | 栅 逻辑集成电路 触发器 | ||
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SY100E101JI
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
OR/NOR Gate, 100E Series, 4-Func, 4-Input, ECL, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 | 栅 逻辑集成电路 触发器 | ||
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SY100E101JY
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
100E SERIES, QUAD 4-INPUT OR/NOR GATE, PQCC28 | 输入元件 逻辑集成电路 | ||
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SY100E104JCTR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
AND/NAND Gate, 100E Series, 5-Func, 2-Input, ECL, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 | 栅 逻辑集成电路 触发器 | |||
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SY100E112JY
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
IC BUF NON-INVERT -5.5V 28PLCC | |||
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SY100E122JCTR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
Buffer, 100E Series, 9-Func, 1-Input, ECL, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 | ||||
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SY100E122JI
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
Buffer, 100E Series, 9-Func, 1-Input, ECL, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 | 栅 逻辑集成电路 触发器 |
MICROCHIP是什么品牌：Microchip公司自成立以来，就密切关注嵌入控制半导体产品市场。为了占领市场，集中了所有的技术、设计、生产、销售等各方面资源发展了两大拳头产品：PIC8位单片机（MCU）和高品质的串行 EEPROM。到目前为止，Microchip公司已推出微控制器外围设备、模拟产品、RFID智能卡、KEELOQ保安产品，可设计出更全面,更具价值的嵌入控制系统方案，以满足用户日益增长的需求。 嵌入控制系统 不同于PC机和工作站的"处理器"，系统计算和处理元件是内嵌在整个嵌入控制系统中，用户接触到的只是高级用户接口，如：键盘、显示设备、高级指令等。因此，终端用户无需了解嵌入控制系统，不像PC用户一样需熟悉处理器型号，时钟速度，DMA容量等。 编程能力 Microchip创新性的迁移存储技术，使具有相同容量的ROM，OTP，FLASH单片机的插座和软件兼容。迁移存储技术允许用户在产品的各个阶段匹配选择单片机的存储器，同时提供一条低成本方案的迁移路径。