型号等于：	MMBT8550 (6) MMBT8550C (1) MMBT8550D (1) MMBT8550S (1) MMBT8550W (1)
型号起始：	MMBT8550* (21) MMBT8550(* (3) MMBT8550-* (1) MMBT8550C* (1) MMBT8550D* (1) MMBT8550L* (2) MMBT8550S* (3) MMBT8550W* (2) MMBT8550_* (2)
所属品牌：	不限 SWST(11) BYTESONIC(3) SEMTECH(2) WINNERJOIN(2)
功能分类：	不限晶体管(9) 晶体(3)

MMBT8550 - 型号起始; 总记录数：28

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		MMBT8550 中文翻译品牌: BYTESONIC	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
		MMBT8550 中文翻译品牌: SEMTECH	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP硅外延平面晶体管	晶体晶体管
		MMBT8550 中文翻译品牌: SWST	小信号晶体管	晶体管
		MMBT8550(1.5A) 中文翻译品牌: SWST	Small Signal Transistor
		MMBT8550(1.5A)-AH 中文翻译品牌: SWST	Small Signal Transistor
		MMBT8550(1.5A)-HAF 中文翻译品牌: SWST	小信号三极管
		MMBT8550(2A) 中文翻译品牌: SWST	小信号晶体管	晶体管
		MMBT8550(2A)-HAF 中文翻译品牌: SWST	小信号三极管
		MMBT8550-AH 中文翻译品牌: SWST	Small Signal Transistor
		MMBT8550-HAF 中文翻译品牌: SWST	小信号三极管
		MMBT8550C 中文翻译品牌: BYTESONIC	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
		MMBT8550C 中文翻译品牌: SWST	CE结击穿电压Vceo(V):25V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):350mW;
		MMBT8550D 中文翻译品牌: BYTESONIC	TRANSISTORï¼PNPï¼
		MMBT8550D 中文翻译品牌: SWST	CE结击穿电压Vceo(V):25V;最大集电极电流Ic(mA):1.5A;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):200mW;
		MMBT8550D 中文翻译品牌: PJSEMI	元器件封装:SOT-23;
		MMBT8550LT1 中文翻译品牌: WINNERJOIN	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP外延硅晶体管	晶体晶体管
		MMBT8550LT1_15 中文翻译品牌: WINNERJOIN	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
		MMBT8550S 中文翻译品牌: SWST	Small Signal Transistor
		MMBT8550S(1.5A) 中文翻译品牌: SWST	Small Signal Transistor
		MMBT8550S(1.5A)-HAF 中文翻译品牌: SWST	小信号三极管
		MMBT8550S-HAF 中文翻译品牌: SWST	小信号三极管
		MMBT8550SD 中文翻译品牌: SWST	小信号晶体管	晶体管
		MMBT8550SD-HAF 中文翻译品牌: SWST	小信号三极管
		MMBT8550W 中文翻译品牌: SEMTECH	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP硅外延平面晶体管	晶体晶体管
		MMBT8550W(1.5A)-HAF 中文翻译品牌: SWST	小信号三极管
		MMBT8550W_1.5A 中文翻译品牌: SWST	小信号晶体管	晶体管
		MMBT8550_1.5A 中文翻译品牌: SWST	小信号晶体管	晶体管
		MMBT8550_1.5A-AH 中文翻译品牌: SWST	小信号晶体管	晶体管

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