型号起始：	N02L61* (9) N02L618* (9)
所属品牌：	不限 ONSEMI(9)
功能分类：	不限存储(8) 内存集成电路(8) 静态存储器(9)

N02L61 - 型号起始; 总记录数：9

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		N02L6181A 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	静态存储器
		N02L6181AB27I 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	存储内存集成电路静态存储器
		N02L6181AB27IT 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	存储内存集成电路静态存储器
		N02L6181AB28I 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	存储内存集成电路静态存储器
		N02L6181AB28IT 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	存储内存集成电路静态存储器
		N02L6181AB7I 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	存储内存集成电路静态存储器
		N02L6181AB7IT 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	存储内存集成电路静态存储器
		N02L6181AB8I 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	存储内存集成电路静态存储器
		N02L6181AB8IT 中文翻译品牌: ONSEMI	2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit 2MB超低功耗异步SRAM CMOS 128Kx16位	存储内存集成电路静态存储器

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