型号起始: | N08T1630C1* (14) N08T1630C1B* (14) |
所属品牌: | 不限 NANOAMP(14) |
功能分类: | 不限 静态存储器(14) 光电二极管(1) 内存集成电路(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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N08T1630C1BT
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BT-55
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BT-55I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 光电二极管 内存集成电路 | |||
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N08T1630C1BT-70
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BT-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 | |||
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N08T1630C1BT2
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BT2-55
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BT2-55I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 | |||
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N08T1630C1BT2-70
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BT2-70I
中文翻译 品牌: NANOAMP |
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 | 静态存储器 | |||
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N08T1630C1BZ-55
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BZ-70
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BZ2-55
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 | |||
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N08T1630C1BZ2-70
中文翻译 品牌: NANOAMP |
8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位 |
静态存储器 |
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