型号起始：	N08T1630C2* (13) N08T1630C2B* (13)
所属品牌：	不限 NANOAMP(13)
功能分类：	不限静态存储器(13) 内存集成电路(2)

N08T1630C2 - 型号起始; 总记录数：13

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		N08T1630C2BT-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BT-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BT2-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BT2-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ-55I 中文翻译品牌: NANOAMP	Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		N08T1630C2BZ-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ-70I 中文翻译品牌: NANOAMP	Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA48	静态存储器内存集成电路
		N08T1630C2BZ2 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ2-55 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器
		N08T1630C2BZ2-55I 中文翻译品牌: NANOAMP	暂无描述	静态存储器
		N08T1630C2BZ2-70 中文翻译品牌: NANOAMP	8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512Kx16 bit 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512Kx16位	静态存储器

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