型号起始：	NE55001* (8) NE550013* (3) NE550017* (5)
所属品牌：	不限 NEC(3) RENESAS(3) CEL(2)
功能分类：	不限晶体(3) 射频场效应晶体管(2) 放大器(5) ISM频段(1) 晶体管(2) 射频(2) GSM(2)

NE55001 - 型号起始; 总记录数：8

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		NE5500134-A 中文翻译品牌: RENESAS	RF & Microwave device
		NE5500134-AZ 中文翻译品牌: RENESAS	NE5500134-AZ
		NE5500134-T1-AZ 中文翻译品牌: RENESAS	NE5500134-T1-AZ	放大器 ISM频段晶体管
		NE5500179A 中文翻译品牌: NEC	SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET
		NE5500179A 中文翻译品牌: CEL	4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器	放大器射频 GSM
		NE5500179A-T1 中文翻译品牌: NEC	SILICON POWER MOS FET 硅功率MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5500179A-T1 中文翻译品牌: CEL	4.8 V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 AND GSM1900 TRANSMISSION AMPLIFIERS 4.8 V工作电压硅射频功率MOSFET用于GSM1800和GSM1900发送放大器	晶体放大器晶体管射频 GSM
		NE5500179A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 5.70 X 5.70 MM, 1.10 MM HEIGHT, 79A, 4 PIN	晶体射频场效应晶体管放大器

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