型号等于:NE5512 (1) NE5514 (1) NE5517 (2)
型号起始:NE551* (94) NE5510* (20) NE5511* (21) NE5512* (12) NE5514* (13) NE5515* (1) NE5516* (1) NE5517* (26)
所属品牌:不限 VISHAY(37) NXP(14) PHILIPS(12) NEC(10) ONSEMI(10) CEL(9) ETC(1) RENESAS(1)
功能分类:不限 放大器(38) 光电二极管(18) 运算放大器(14) 放大器电路(6) 电阻器(5) CD(4) 晶体(13) 射频场效应晶体管(8) 射频(8) 晶体管(7) GSM(4) ISM频段(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
NE5510179A
中文翻译 品牌: NEC
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器
放大器 射频
NE5510179A-T1
中文翻译 品牌: NEC
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR 1.9 GHZ TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5V操作硅射频功率MOSFET 1.9 GHZ发送放大器
晶体 放大器 射频场效应晶体管
NE5510179A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC
暂无描述 晶体 放大器 射频场效应晶体管
NE5510279A
中文翻译 品牌: NEC
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM
NE5510279A-T1
中文翻译 品牌: NEC
3.5V OPERATION SILICON RF POWER MOSFET FOR GSM1800 TRANSMISSION AMPLIFIERS
3.5V操作硅射频功率MOSFET用于GSM1800发送放大器
晶体 放大器 射频场效应晶体管 GSM
NE5510279A-T1-A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN
NE5511279A
中文翻译 品牌: NEC
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5511279A-A
中文翻译 品牌: NEC
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: NEC
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5511279A-T1
中文翻译 品牌: CEL
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 晶体管
NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: NEC
NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET
NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET
晶体 射频场效应晶体管 放大器
NE5511279A-T1A
中文翻译 品牌: CEL
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN 放大器 晶体管
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