型号起始:NE5541* (5) NE55410* (5)
所属品牌:不限 CEL(3) NEC(2)
功能分类:不限 放大器(5) 功率放大器(5) 晶体(2) 射频场效应晶体管(1) 光电二极管(2) ISM频段(2) 晶体管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
NE55410GR
中文翻译 品牌: NEC
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
N沟道硅功率LDMOS FET,用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
放大器 功率放大器
NE55410GR
中文翻译 品牌: CEL
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
N沟道硅功率LDMOS FET,用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
放大器 功率放大器
NE55410GR-T3-AZ
中文翻译 品牌: NEC
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
N沟道硅功率LDMOS FET,用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
晶体 放大器 射频场效应晶体管 功率放大器 光电二极管 ISM频段
NE55410GR-T3-AZ
中文翻译 品牌: CEL
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
N沟道硅功率LDMOS FET,用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
晶体 放大器 晶体管 功率放大器 光电二极管 ISM频段
NE55410GR_07
中文翻译 品牌: CEL
N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER
N沟道硅功率LDMOS FET,用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
放大器 功率放大器
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