型号等于:1AD4 (1) 1815 (1)
型号起始:0402* (2) 0510* (1) 0581* (1) 0603* (21) 0805* (11) 100B* (3) 10AM* (1) 10H2* (4) 14PT* (7) 165R* (1) 174F* (2) 1AD4* (1) 1N40* (35) 1N41* (17) 1N44* (10) 1N45* (10) 1N47* (84) 1N50* (5) 1N52* (164) 1N58* (7) 1N82* (43) 1N91* (12) 1PS1* (20) 1PS2* (7) 1PS3* (11) 1PS5* (16) 1PS6* (6) 1PS7* (100) 1PS8* (23) 1SS3* (4) 1SV1* (1)
所属品牌:不限 NXP(149085)
功能分类:不限 微控制器(9270) 时钟(8250) 外围集成电路(10128) 光电二极管(29062) 晶体(4594) 晶体管(8893) 开关(6313) 测试(5534) 二极管(6263) PC(5152) 驱动(4714) 输出元件(6687) 逻辑集成电路(13111) 电视(2488) 稳压二极管(1975) 触发器(4406) (2779) 输入元件(2745) 局域网(4043) 驱动器(1475) 放大器(3132) 双倍数据速率(1131) 电信(1072) 电信集成电路(1213) 齐纳二极管(1704) CD(3434) 脉冲(1618) 可控硅(908) 信息通信管理(2159) 商用集成电路(1901) 软恢复二极管(403) 快速软恢复二极管(517) 整流二极管(694) 电容器(408) 陶瓷电容器(367) 小信号双极晶体管(920) 复用器(536) 总线收发器(1430) 转换器(872) 静态存储器(1196) 计数器(574) 接口集成电路(1297) 总线驱动器(1080) 栅极(1425) 移位寄存器(405) 锁存器(756) 功率场效应晶体管(482) 闪存(808) 射频(510) 微波(536) 传感器(449)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
1103XA
中文翻译 品牌: NXP
IC OTHER DRAM, PDIP18, Dynamic RAM 动态存储器 光电二极管 内存集成电路
2111IK
中文翻译 品牌: NXP
IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 1000 ns, CDIP18, Static RAM 静态存储器 内存集成电路
2111XA
中文翻译 品牌: NXP
IC 256 X 4 STANDARD SRAM, 1000 ns, PDIP18, Static RAM 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
21F02B
中文翻译 品牌: NXP
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 350 ns, PDIP16, Static RAM 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
21F02F
中文翻译 品牌: NXP
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 350 ns, CDIP16, Static RAM 静态存储器 内存集成电路
21L02-1I
中文翻译 品牌: NXP
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 500 ns, CDIP16, Static RAM 静态存储器 内存集成电路
21L02-3B
中文翻译 品牌: NXP
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, PDIP16, Static RAM 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
21L02-3F
中文翻译 品牌: NXP
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, CDIP16, Static RAM 静态存储器 内存集成电路
25L01B
中文翻译 品牌: NXP
Standard SRAM, 256X1, 1000ns, MOS, PDIP16 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
25L01I
中文翻译 品牌: NXP
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 1000 ns, CDIP16, Static RAM 静态存储器 内存集成电路
27C210-15N
中文翻译 品牌: NXP
1 MEG CMOS EPROM(64K X 16)
1 MEG CMOS EPROM ( 64K ×16 )
内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
27C210-20A
中文翻译 品牌: NXP
1 MEG CMOS EPROM(64K X 16)
1 MEG CMOS EPROM ( 64K ×16 )
内存集成电路 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
27C210I20A
中文翻译 品牌: NXP
1 MEG CMOS EPROM(64K X 16)
1 MEG CMOS EPROM ( 64K ×16 )
内存集成电路 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
27C256-12A
中文翻译 品牌: NXP
256K-bit CMOS EPROM (32K x 8)
256K位CMOS EPROM ( 32K ×8 )
内存集成电路 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
27C256-15A
中文翻译 品牌: NXP
256K-bit CMOS EPROM (32K x 8)
256K位CMOS EPROM ( 32K ×8 )
内存集成电路 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
27C256I20N
中文翻译 品牌: NXP
256K-bit CMOS EPROM (32K x 8)
256K位CMOS EPROM ( 32K ×8 )
内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
27C64A-20N
中文翻译 品牌: NXP
64K-bit CMOS EPROM(8K x 8)
64K位CMOS EPROM ( 8K ×8 )
内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
27HC641-45N
中文翻译 品牌: NXP
64K BIT CMOS EPROM (8K X 8)
64K位CMOS EPROM ( 8K ×8 )
内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
54170F
中文翻译 品牌: NXP
IC 4 X 4 STANDARD SRAM, 40 ns, CDIP16, Static RAM 静态存储器 内存集成电路
54170W
中文翻译 品牌: NXP
IC 4 X 4 STANDARD SRAM, 40 ns, CDFP16, Static RAM 静态存储器 内存集成电路
54LS170F
中文翻译 品牌: NXP
IC 4 X 4 STANDARD SRAM, 40 ns, CDIP16, Static RAM 静态存储器 内存集成电路
5962-8200902JA
中文翻译 品牌: NXP
IC 8K X 8 OTPROM, 55 ns, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24, Programmable ROM 可编程只读存储器 OTP只读存储器 内存集成电路
74170B
中文翻译 品牌: NXP
IC 4 X 4 STANDARD SRAM, 40 ns, PDIP16, Static RAM 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
74172N
中文翻译 品牌: NXP
IC 8 X 2 STANDARD SRAM, 50 ns, PDIP24, Static RAM 静态存储器 光电二极管 内存集成电路
74F410DC
中文翻译 品牌: NXP
Register File
注册文件\n
内存集成电路 静态存储器
74HC40105D
中文翻译 品牌: NXP
4-bit x 16-word FIFO register
4位x 16字FIFO寄存器
内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟
74HC40105D,653
中文翻译 品牌: NXP
74HC(T)40105 - 4-bit x 16-word FIFO register SOP 16-Pin 时钟 先进先出芯片 光电二极管 内存集成电路
74HC40105N,652
中文翻译 品牌: NXP
74HC(T)40105 - 4-bit x 16-word FIFO register DIP 16-Pin 时钟 先进先出芯片 光电二极管 内存集成电路
74HC40105PW
中文翻译 品牌: NXP
4-bit x 16-word FIFO register
4位x 16字FIFO寄存器
存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟
74HC670D
中文翻译 品牌: NXP
4 x 4 register file; 3-state
4×4的寄存器文件;三态
存储 内存集成电路 静态存储器 光电二极管
Total:30012345678910...10
总300+条记录,每页显示30条记录分10页显示。
NXP是什么品牌:恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长,提供高性能混合信号(High Performance Mixed Signal)和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。成立时间:2006年(前身为皇家飞利浦公司的事业部之一) 拥有50年以上的半导体经验。