品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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BLA6H0912-500
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS avionics radar power transistor LDMOS航空电子雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 电子 放大器 航空 局域网 | |||
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BLL1214-250
中文翻译 品牌: NXP |
L-band radar LDMOS transistor L波段雷达的LDMOS晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 放大器 局域网 | |||
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BLL1214-250R
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS L-band radar power transistor LDMOS L波段雷达功率晶体管 |
晶体 晶体管 雷达 | |||
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BLL1214-35
中文翻译 品牌: NXP |
L-band radar LDMOS driver transistor L波段雷达的LDMOS驱动器晶体管 |
晶体 驱动器 晶体管 雷达 | |||
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BLL6H1214-500
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS L-band radar power transistor LDMOS L波段雷达功率晶体管 |
晶体 晶体管 雷达 放大器 局域网 | ||
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BLS6G2731-120
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 放大器 局域网 | ||
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BLS6G2731-6G
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 | |||
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BLS6G2731S-120
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 晶体管 雷达 | ||
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BLS6G2933S-130
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 放大器 局域网 | ||
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BLS6G2933S-130_10
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 晶体管 雷达 | |||
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BLS6G3135-120
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 放大器 局域网 | ||
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BLS6G3135-120_08
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 晶体管 雷达 | |||
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BLS6G3135-20
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 放大器 局域网 | ||
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BLS6G3135S-120
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 放大器 | |||
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BLS6G3135S-20
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-Band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 晶体管 雷达 | |||
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BLS7G2729L-350P
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 晶体管 雷达 | ||
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BLS7G2729LS-350P
中文翻译 品牌: NXP |
LDMOS S-band radar power transistor LDMOS S波段雷达功率晶体管 |
晶体 射频场效应晶体管 雷达 放大器 | ||
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MV6-5
中文翻译 品牌: NXP |
RADAR CATHODE-RAY PROJECTION TUBE 雷达阴极射线投影管 |
雷达 |
Total:181
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NXP是什么品牌:恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长,提供高性能混合信号(High Performance Mixed Signal)和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。成立时间:2006年(前身为皇家飞利浦公司的事业部之一) 拥有50年以上的半导体经验。