RC网络 - 型号起始 - 存储; 总记录数：1331

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		34RC02 中文翻译品牌: CATALYST	2-kb I2C Serial EEPROM, Serial Presence Detect 2 kb的I2C串行EEPROM ，串行存在检测	可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		39R08A3 中文翻译品牌: SYNCMOS	TSSOP20;8KFlash 1T8051MCU;工作电压: 1.8V ~ 5.5V 高速1T 架构，最高可达25MHz 1~8T 模式可使用软件编程内置22.1184MHz RC 振荡器，及可程序化的分频器 8K 字节的片上闪存程序存储器 512 字节的标准的80	振荡器闪存计数器存储比较器通信可编程只读存储器电动程控只读存储器
		39R16A3 中文翻译品牌: SYNCMOS	SM39R16A3是一个快速的单芯片8位微控制器内核,工作电压: 1.8V ~ 5.5V  高速1T 架构，最高可达25MHz  1~8T 模式可使用软件编程  指令设置兼容 MCS-51  内置22.1184MHz RC振荡器	振荡器闪存存储微控制器
		5962-8670512RC 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	4KX4 STANDARD SRAM, 35ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20	静态存储器内存集成电路
		5962-8670514RC 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	4KX4 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP20, CERAMIC, DIP-20	静态存储器
		8413208RC 中文翻译品牌: STMICROELECTRONICS	16KX1 STANDARD SRAM, 50ns, CDIP20, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-20	静态存储器内存集成电路
		AM29LV116BB80RC 中文翻译品牌: ETC	x8 Flash EEPROM X8闪存EEPROM\n	闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
		AM7200-25RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT (FIFO) 256 X 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 256 ×9位的CMOS存储器	存储先进先出芯片
		AM7200-35RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT (FIFO) 256 X 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 256 ×9位的CMOS存储器	存储先进先出芯片
		AM7200-50RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT (FIFO) 256 X 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 256 ×9位的CMOS存储器	存储内存集成电路光电二极管先进先出芯片时钟
		AM7201-25RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) 512 x 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 512× 9位的CMOS存储器	存储先进先出芯片
		AM7201-35RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) 512 x 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 512× 9位的CMOS存储器	存储先进先出芯片
		AM7201-50RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) 512 x 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 512× 9位的CMOS存储器	存储先进先出芯片
		AM7204A-15RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) 4096 x 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 4096× 9位的CMOS存储器	存储先进先出芯片
		AM7204A-25RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) 4096 x 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 4096× 9位的CMOS存储器	存储内存集成电路光电二极管先进先出芯片时钟
		AM7204A-35RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) 4096 x 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 4096× 9位的CMOS存储器	存储先进先出芯片
		AM7204A-50RC 中文翻译品牌: AMD	HIGH DENSITY FIRST-IN FIRST-OUT(FIFO) 4096 x 9-BIT CMOS MEMORY 高密度先入先出（FIFO ） 4096× 9位的CMOS存储器	存储先进先出芯片
		AM99C10-10RC 中文翻译品牌: ETC	Content Addressable Memory 内容可寻址存储器\n	存储内存集成电路静态存储器光电二极管双倍数据速率
		AP9B132-4RC 中文翻译品牌: ISSI	Standard SRAM, 32KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100	静态存储器内存集成电路
		AP9B132-5RC 中文翻译品牌: ISSI	Standard SRAM, 32KX32, 5ns, CMOS, PQFP100	静态存储器内存集成电路
		AP9B132-6RC 中文翻译品牌: ISSI	Standard SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100	静态存储器内存集成电路
		AP9B132-7RC 中文翻译品牌: ISSI	Standard SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100	静态存储器内存集成电路
		AT27BV256-12RC 中文翻译品牌: ATMEL	256K 32K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM 256K 32K ×8不稳定电池电压高速CMOS OTP EPROM	电池存储内存集成电路光电二极管异步传输模式 ATM 可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
		AT27BV256-12RC 中文翻译品牌: MICROCHIP	存储容量(Mb):256Kb（32K x 8）;内存数据长度(bit):32K ;字编码数(k):32K ;元器件封装:28-SOIC;	存储
		AT27BV256-15RC 中文翻译品牌: ATMEL	256K 32K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM 256K 32K ×8不稳定电池电压高速CMOS OTP EPROM	电池存储内存集成电路光电二极管异步传输模式 ATM 可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
		AT27BV256-15RC 中文翻译品牌: MICROCHIP	存储容量(Mb):256Kb（32K x 8）;内存数据长度(bit):32K ;字编码数(k):32K ;元器件封装:28-SOIC;	存储
		AT27BV256-70RC 中文翻译品牌: ATMEL	256K 32K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM 256K 32K ×8不稳定电池电压高速CMOS OTP EPROM	电池可编程只读存储器电动程控只读存储器
		AT27BV256-90RC 中文翻译品牌: ATMEL	256K 32K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM 256K 32K ×8不稳定电池电压高速CMOS OTP EPROM	电池存储内存集成电路光电二极管异步传输模式 ATM 可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
		AT27BV256-90RC 中文翻译品牌: MICROCHIP	存储容量(Mb):256Kb（32K x 8）;内存数据长度(bit):32K ;字编码数(k):32K ;元器件封装:28-SOIC;	存储
		AT27BV400-12RC 中文翻译品牌: ATMEL	4-Megabit 256K x 16 or 512K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP EPROM 4兆位256K ×16或512K ×8不稳定电池电压高速OTP EPROM	电池可编程只读存储器电动程控只读存储器

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