RC3-25V220M铝电解电容 - 型号起始 - 栅; 总记录数：110

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		2N7002E 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容	晶体栅极晶体管开关光电二极管
		2N7002K 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容	晶体栅极晶体管开关光电二极管 PC
		2N7002T 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容	栅极
		2N7002W 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容	栅极
		6ED2742S01Q 中文翻译品牌: INFINEON	MOTIX™ 6ED2742S01Q是一款160V 绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器，专为三相BLDC电机驱动应用而设计。这款驱动器集成自举二极管，可为三个外高压侧自举电容充电，具有涓流充电电路，支持100%占空比。主要保护功能包括，欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。其输出驱	通信电机栅极驱动高压脉冲二极管驱动器
		CPC5620 中文翻译品牌: LITTELFUSE	LITELINK单芯片硅电话线接口（DAA）使用光学技术在封装中包含所需的隔离栅，消除了昂贵的电容器或变压器。与竞争解决方案相比，该解决方案通过减少无源元件数量和缩小印刷电路板空间来节省成本。	电话变压器栅电容器
		CPC5621 中文翻译品牌: LITTELFUSE	LITELINK单芯片硅电话线接口（DAA）使用光学技术在封装中包含所需的隔离栅，消除了昂贵的电容器或变压器。与竞争解决方案相比，该解决方案通过减少无源元件数量和缩小印刷电路板空间来节省成本。	电话变压器栅电容器
		CPC5622 中文翻译品牌: LITTELFUSE	LITELINK单芯片硅电话线接口（DAA）使用光学技术在封装中包含所需的隔离栅，消除了昂贵的电容器或变压器。与竞争解决方案相比，该解决方案通过减少无源元件数量和缩小印刷电路板空间来节省成本。	电话变压器栅电容器
		EP4CE15F23C6N 中文翻译品牌: ALTERA	This section lists the I/O leakage current, pin capacitance, on-chip termination (OCT) tolerance, and bus hold specifications for Cyclone IV devices.<	现场可编程门阵列可编程逻辑栅 LTE 时钟
		FCH22N60N 中文翻译品牌: FAIRCHILD	Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 45 nC), Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss.eff = 196.4 pF) 超低栅极电荷（典型值的Qg = 45 NC ），低有效输出电容（典型值Coss.eff =	栅极
		HYG054N09NS1P 中文翻译品牌: HUAYI	类型：- 漏源电压(Vdss)：- 连续漏极电流(Id)：- 功率(Pd)：- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：- 栅极电荷(Qg@Vgs)：- 输入电容(Ciss@Vds)：- 反向传输电容(Crss@Vds)：- 工作温度(最小值)：- 工作温度(	栅栅极
		IMW120R007M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 7mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R014M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R020M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R030M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R040M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 40mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R045M1 中文翻译品牌: INFINEON	1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装，基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具可靠性与性能优势。与IGBT和MOSFET等基于传统硅（Si）的开关相比，碳化硅MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R060M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R090M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R140M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R220M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R350M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R350M1H采用TO247-3封装的1200 V、350 mΩ CoolSiC???SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。?与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMZ120R030M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMZ120R030M1H是采用TO247-4封装的1200 V、30 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMZ120R140M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMZA120R007M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-4封装的1200V 7mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMZA120R014M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-4封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMZA120R020M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMZA120R040M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-4封装的1200V 40mΩ? CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IXFH52N30Q 中文翻译品牌: IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt ，低吨低栅极电荷和电容	栅极
		IXFK52N30Q 中文翻译品牌: IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt ，低吨低栅极电荷和电容	栅极

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