RC3-25V220M铝电解电容 - 型号起始 - 栅极; 总记录数：104

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		2N7002E 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容	晶体栅极晶体管开关光电二极管
		2N7002K 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容	晶体栅极晶体管开关光电二极管 PC
		2N7002T 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容	栅极
		2N7002W 中文翻译品牌: TYSEMI	Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance 低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容	栅极
		6ED2742S01Q 中文翻译品牌: INFINEON	MOTIX™ 6ED2742S01Q是一款160V 绝缘体上硅 (SOI) 栅极驱动器，专为三相BLDC电机驱动应用而设计。这款驱动器集成自举二极管，可为三个外高压侧自举电容充电，具有涓流充电电路，支持100%占空比。主要保护功能包括，欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。其输出驱	通信电机栅极驱动高压脉冲二极管驱动器
		FCH22N60N 中文翻译品牌: FAIRCHILD	Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 45 nC), Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss.eff = 196.4 pF) 超低栅极电荷（典型值的Qg = 45 NC ），低有效输出电容（典型值Coss.eff =	栅极
		HYG054N09NS1P 中文翻译品牌: HUAYI	类型：- 漏源电压(Vdss)：- 连续漏极电流(Id)：- 功率(Pd)：- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：- 栅极电荷(Qg@Vgs)：- 输入电容(Ciss@Vds)：- 反向传输电容(Crss@Vds)：- 工作温度(最小值)：- 工作温度(	栅栅极
		IMW120R007M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 7mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R014M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R020M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R030M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R040M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-3封装的1200V 40mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMW120R045M1 中文翻译品牌: INFINEON	1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装，基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具可靠性与性能优势。与IGBT和MOSFET等基于传统硅（Si）的开关相比，碳化硅MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R060M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R060M1H是采用TO247-3封装的1200 V、60 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R090M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R090M1H是采用TO247-3封装的1200 V、90 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R140M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R220M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R220M1H是采用TO247-3封装的1200 V、220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMW120R350M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMW120R350M1H采用TO247-3封装的1200 V、350 mΩ CoolSiC???SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。?与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMZ120R030M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMZ120R030M1H是采用TO247-4封装的1200 V、30 mΩCoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMZ120R140M1H 中文翻译品牌: INFINEON	IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
		IMZA120R007M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-4封装的1200V 7mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMZA120R014M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-4封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMZA120R020M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IMZA120R040M1H 中文翻译品牌: INFINEON	采用TO247-4封装的1200V 40mΩ? CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损	开关栅 DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
		IXFH52N30Q 中文翻译品牌: IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt ，低吨低栅极电荷和电容	栅极
		IXFK52N30Q 中文翻译品牌: IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt ，低吨低栅极电荷和电容	栅极
		IXFR10N100Q 中文翻译品牌: IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt低栅极电荷和电容	栅极
		IXFR12N100Q 中文翻译品牌: IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt低栅极电荷和电容	栅极
		IXFT52N30Q 中文翻译品牌: IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt ，低吨低栅极电荷和电容	晶体栅极晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
		IXHH40N150HV 中文翻译品牌: LITTELFUSE	MOS栅控晶闸管专为大功率脉冲和电容放电应用而设计，由施加在栅极的电压接通（MOS结构）。能够在1微秒的时间内承载高达32kA的电流	栅脉冲栅极

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