| 型号起始： | SEMIX151GAL* (4) SEMIX151GAL1* (4) |
| 所属品牌： | 不限 SEMIKRON(4) |
| 功能分类： | 不限 双极性晶体管(3) 局域网(3) 栅(2) 功率控制(3) 晶体管(3) 晶体(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
SEMIX151GAL12E4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | |||
|
SEMIX151GAL12E4S_10
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
双极性晶体管 | |||
|
SEMIX151GAL12T4S
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Trench IGBT Modules 沟道IGBT模块 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
|
SEMIX151GAL12VS
中文翻译 品牌: SEMIKRON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 231A I(C), 1200V V(BR)CES | 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
Total:41
总4条记录，每页显示30条记录分1页显示。