型号等于：	186 (2) 1860 (1) 1861 (1) 1862 (1) 1863 (1) 1864 (1) 1866 (2) 1869 (2)
型号起始：	186* (1012) 186 * (1) 186-* (17) 186K* (14) 186M* (4) 1860* (301) 1861* (137) 1862* (261) 1863* (243) 1864* (28) 1866* (2) 1869* (2)
所属品牌：	不限 CML(481) PHOENIX(441) MOLEX(130) KYOCERA AVX(44) ILLINOISCAPACITOR(35) ETC(28) HONEYWELL(16) MACOM(10) SCHNEIDER(10) CDE(9) ALTECH(8) WEIDMULLER(8) TE(5) CANDD(4) DIALIGHT(4) MURATA(4) MSK(3) SENSITRON(3) VISHAY(3) NI(2) VICOR(2) GILWAY(1) RCD(1) VCC(1)
功能分类：	不限端子和端子排(526) 光电(336) 显示器(74) PC(38) 连接器(31) 电容器(28) 铝电解电容器(16) 闪光灯(12) 传感器(12) 换能器(9) 可见光 LED(12) 运算放大器(6) 高压(6) 二极管(16) 继电器(5) 压力传感器(3) 电感器(8) 固定电感器(4) 测试(5) 射频感应器(4) 局域网(3) 薄膜电容器(2) 电机(2) 电路保护(2) 光纤(1) 高功率电源(1) 放大器(1) 固定电容器(1) 大电流电感器(1) 连接器支架(1)

186 - 型号起始 - 栅; 总记录数：23

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		3SK186 中文翻译品牌: HITACHI	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET 硅N沟道双栅MOS FET	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
		3SK186FI 中文翻译品牌: HITACHI	暂无描述	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
		3SK186FI-TR 中文翻译品牌: HITACHI	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MPAK-4	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
		3SK186FI-UL 中文翻译品牌: HITACHI	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MPAK-4	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
		3SK186FI-UR 中文翻译品牌: HITACHI	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MPAK-4	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
		BT136F700E 中文翻译品牌: ETC	TRIAC\|700V V(DRM)\|4A I(T)RMS\|SOT-186 TRIAC \| 700V V（ DRM ） \| 4A I（ T） RMS \| SOT- 186\n	栅极三端双向交流开关
		BT139F600 中文翻译品牌: ETC	TRIAC\|600V V(DRM)\|16A I(T)RMS\|SOT-186 TRIAC \| 600V V（ DRM ） \| 16A I（ T） RMS \| SOT- 186\n	栅极三端双向交流开关
		BT139F600E 中文翻译品牌: ETC	TRIAC\|600V V(DRM)\|16A I(T)RMS\|SOT-186 TRIAC \| 600V V（ DRM ） \| 16A I（ T） RMS \| SOT- 186\n	栅极三端双向交流开关
		BT139F700 中文翻译品牌: NXP	TRIAC,700V V(DRM),16A I(T)RMS,SOT-186	栅三端双向交流开关栅极
		BT139F800 中文翻译品牌: ETC	TRIAC\|800V V(DRM)\|16A I(T)RMS\|SOT-186 TRIAC \| 800V V（ DRM ） \| 16A I（ T） RMS \| SOT- 186\n	栅极三端双向交流开关
		BT139F800H 中文翻译品牌: ETC	TRIAC\|800V V(DRM)\|16A I(T)RMS\|SOT-186 TRIAC \| 800V V（ DRM ） \| 16A I（ T） RMS \| SOT- 186\n	栅极三端双向交流开关
		BT151F-500R 中文翻译品牌: NXP	Silicon Controlled Rectifier, 9 A, 500 V, SCR, PLASTIC, SOT-186, 3 PIN	栅栅极
		ECG3300 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 400V V(BR)CES \| 10A I(C) \| SOT-186 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \| 400V V（ BR ） CES \| 10A I（C ） \| SOT- 186\n	晶体晶体管双极性晶体管栅
		ECG3301 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 400V V(BR)CES \| 15A I(C) \| SOT-186 晶体管\| IGBT \| N -CHAN \| 400V V（ BR ） CES \| 15A I（C ） \| SOT- 186\n	晶体晶体管双极性晶体管栅
		IC280-324-186 中文翻译品牌: YAMAICHI	Ball Grid Array (FBGA / CSP / LGA) 球栅阵列（ FBGA / CSP / LGA ）	栅
		SIGC186T170R3 中文翻译品牌: INFINEON	IGBT3 Chip IGBT3芯片	晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
		SIGC186T170R3E 中文翻译品牌: INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor	栅功率控制晶体管
		SIGC186T170R3EX1SA4 中文翻译品牌: INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor,	栅
		T82F186K3DN 中文翻译品牌: POWEREX	Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 1800V V(RRM), 1 Element, T82, 3 PIN	栅栅极
		T82F186K6DN 中文翻译品牌: POWEREX	Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 1800V V(RRM), 1 Element, T82, 3 PIN	栅栅极
		T82F186KGDN 中文翻译品牌: POWEREX	Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 1800V V(RRM), 1 Element, T82, 3 PIN	栅栅极
		T82F186KHDN 中文翻译品牌: POWEREX	Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 1800V V(RRM), 1 Element, T82, 3 PIN	栅触发装置栅极可控硅整流器
		T82F186KKDN 中文翻译品牌: POWEREX	Silicon Controlled Rectifier, 942A I(T)RMS, 1800V V(RRM), 1 Element, T82, 3 PIN	栅栅极

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