品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2SJ542
中文翻译 品牌: HITACHI |
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching 硅P沟道MOS FET高速电源开关 |
晶体 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 电源开关 局域网 | |||
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2SJ542
中文翻译 品牌: RENESAS |
Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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2SJ542-E
中文翻译 品牌: RENESAS |
Silicon P Channel MOS FET 硅P沟道MOS场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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BUK542-100A
中文翻译 品牌: NXP |
PowerMOS transistor Logic level FET 功率MOS晶体管逻辑电平场效应管 |
晶体 晶体管 | |||
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BUK542-100B
中文翻译 品牌: NXP |
PowerMOS transistor Logic level FET 功率MOS晶体管逻辑电平场效应管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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BUK542-60A
中文翻译 品牌: NXP |
PowerMOS transistor Logic level FET 功率MOS晶体管逻辑电平场效应管 |
晶体 晶体管 | |||
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BUK542-60B
中文翻译 品牌: NXP |
PowerMOS transistor Logic level FET 功率MOS晶体管逻辑电平场效应管 |
晶体 晶体管 | |||
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IRF542
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |||
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IRF542-002PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF542-009
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF542-009PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRFS542
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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UFN542
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Power Field-Effect Transistor |
Total:131
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