小信号场效应晶体管 - 型号起始 - 栅极; 总记录数：125

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1HP04CH-TL-W 中文翻译品牌: ONSEMI	漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):170mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):18 Ohm @ 80mA, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.9nC @ 10V;栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):150°C	栅栅极
		2N5460 中文翻译品牌: NJSEMI	DRAIN-GATE VOLTAGE 漏极 - 栅极电压	栅极
		2N7002P,235 EDA模型中文翻译品牌: NEXPERIA	漏源电压Vdss(V):60 V ;额定电流Id(A):360mA（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 欧姆 @ 500mA，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):0.8 nC	栅栅极
		2N7002PS,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):320mA;最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:2 N-Channel (Dual);栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;栅源耐压Vgs(V):2.4V @ 250µA;最小工作温度(℃):0;最	栅栅极
		2N7002PW,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	漏源电压Vdss(V):60V;额定电流Id(A):310mA (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):1.6 Ohm @ 500mA, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):0.8nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):260mW (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小	栅栅极
		2SK2331 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用）	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2SK2496 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用）	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2SK2497 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ SHF波段低噪声放大器应用）	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		2SK2856 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE（ UHF波段低噪声放大器应用）	栅极放大器
		2SK3179 中文翻译品牌: TOSHIBA	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE )UHF~SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) N沟道单栅极调制DOPE TYPE） UHF 〜 SHF波段低噪声放大器应用）	栅极放大器
		3N203 中文翻译品牌: MOTOROLA	DUAL GATE MOSFET VHF AMPLIFIER 双栅极MOSFET甚高频放大器	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		3N212 中文翻译品牌: MOTOROLA	Dual Gate Mosfet VHF Amplifier(N-Channel, Depletion) 双栅极MOSFET甚高频放大器（ N沟道，耗尽）	晶体栅极放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
		AP1332GEU-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Lower Gate Charge, Simple Gate Drive 更低的栅极电荷，简单的栅极驱动	晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		AP1332GEV-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Lower Gate Charge, Gate Pateded Diode 更低的栅极电荷，门Pateded二极管	晶体栅极二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
		AP20T03GT-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement 更低的栅极电荷，简单的驱动要求	栅极驱动
		AP2308GEN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V Gate Drive, Lower Gate Charge 能够2.5V栅极驱动，低栅极电荷	晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		AP2314GN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance 能够2.5V栅极驱动，低导通电阻	晶体栅极小信号场效应晶体管光电二极管栅极驱动
		AP2318GEN-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V Gate Drive, Small Outline Package 能够2.5V栅极驱动的，小外形封装	栅极栅极驱动
		AP9922AGEO-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 1.8V Gate Drive, Optimal DC/DC Battery Application 能够1.8V栅极驱动，优化DC / DC电池应用	栅极电池栅极驱动
		AP9922GEO-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 1.8V Gate Drive, Optimal DC/DC Battery Application 能够1.8V栅极驱动，优化DC / DC电池应用	晶体栅极电池小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		AP9923GEO-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Small & Thin Package, Capable of 1.8V Gate Drive 小型及薄型封装，有能力为1.8V栅极驱动	晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		AP9924AGO-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive 低导通电阻，精干2.5V栅极驱动	晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		AP9926GEO 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V Gate Drive, Surface Mount Package 能够2.5V栅极驱动，表面贴装封装	晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		AP9926GEO-HF 中文翻译品牌: A-POWER	Capable of 2.5V Gate Drive, Surface Mount Package 能够2.5V栅极驱动，表面贴装封装	晶体栅极小信号场效应晶体管开关光电二极管栅极驱动
		BF1100 中文翻译品牌: NXP	Dual-gate MOS-FETs 双栅极的MOS- FET的	栅极
		BF1100R 中文翻译品牌: NXP	Dual-gate MOS-FETs 双栅极的MOS- FET的	晶体栅极小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
		BF1100WR 中文翻译品牌: NXP	Dual-gate MOS-FET 双栅极的MOS- FET的	晶体栅极小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
		BF1100WR-T 中文翻译品牌: NXP	TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MICRO MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal	栅极
		BF1100WRT/R 中文翻译品牌: NXP	TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MICRO MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal	栅极
		BF1101R 中文翻译品牌: NXP	N-channel dual-gate MOS-FETs N沟道双栅极的MOS- FET的	栅极

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