SCT3040KW7
SCT3040KW7是1200V 56A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构，降低了导通电阻。 SiC支持页面评估板、文件 应用实例介绍罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件？电子小知
电子
ROHM
IQE065N10NM5
IQE65N10NM5 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS 或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。
PC 电机 栅 驱动 服务器 电信 栅极
INFINEON
LMR54406
LMR544xx SIMPLE SWITCHER® 4-V to 36-V, 0.6-A/1-A Buck Converter in a SOT-23 Package
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TI
150ACP_12S
150W - Single Output AC-DC Converter - Universal Input - Isolated & Regulated
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GAPTEC
ST732M33R
300 mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5 μA quiescent current
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STMICROELECTR
