CP608-CJD32C-CT [CENTRAL]
Transistor;
| 型号： | CP608-CJD32C-CT |
| 厂家： | 
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 描述： | Transistor |
| 文件： | 总2页 (文件大小：472K) |
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PROCESS CP608
Power Transistor
PNP - Amp/Switch Transistor Chip
PROCESS DETAILS
Process
EPITAXIAL PLANAR
66 x 66 MILS
Die Size
Die Thickness
12.5 1.0 MILS
12 x 24 MILS
Base Bonding Pad Area
Emitter Bonding Pad Area
Top Side Metalization
Back Side Metalization
11 x 14 MILS
Al - 50,000Å
Cr/Ni/Ag - 16,000Å
GEOMETRY
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER
2,630
PRINCIPAL DEVICE TYPES
CJD32C
TIP32C
R5 (6-March 2013)
www.centralsemi.com
PROCESS CP608
Typical Electrical Characteristics
R5 (6-March 2013)
www.centralsemi.com
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