MPSA92_09 [DIOTEC]
High voltage Si-epitaxial planar transistors; 高压硅外延平面型晶体管
| 型号： | MPSA92_09 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | High voltage Si-epitaxial planar transistors |
| 文件： | 总2页 (文件大小：105K) |
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MPSA92 / MPSA94
MPSA92 / MPSA94
High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren
PNP
PNP
Version 2009-05-07
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
E B C
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
2 x 2.54
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions / Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA92
MPSA94
400 V
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
300 V
300 V
400 V
5 V
625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
- IC
300 mA
Base current – Basisstrom
- IB
100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
-55...+150°C
-55…+150°C
TS
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, - VCB = 200 V
IE = 0, - VCB = 160 V
MPSA92
MPSA94
- ICB0
- ICB0
250 nA
250 nA
–
–
–
–
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, - VEB = 3 V
- IEB0
100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
MPSA92
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
- VCEsat
- VCEsat
500 mV
500 mV
MPSA94
–
–
–
–
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 2)
- IC = 20 mA, - IB = 2 mA
- VBEsat
0.9 V
1
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1
- VCE = 10 V, - IC = 1 mA
- VCE = 10 V, - IC = 10 mA
- VCE = 10 V, - IC = 30 mA
hFE
hFE
hFE
25
40
25
–
–
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- VCE = 20 V, - IC = 10 mA, f = 100 MHz
fT
–
–
70 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
MPSA92
MPSA94
CCB0
CCB0
7 pF
7 pF
- VCB = 20 V, - IE = ie = 0, f = 1 MHz
–
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 200 K/W 2)
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren
MPSA42, MPSA44
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
100
150
50
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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