3DG6511 [ETC]
3DG6511硅NPN型高频高压小功率晶体管 ;
| 型号： | 3DG6511 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 3DG6511硅NPN型高频高压小功率晶体管 晶体 晶体管 高压 |
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晶分立器件
3DG6511
高 放大 境 定双极型晶体管
1 概述与特点
3DG6511 硅 NPN 型高频高压小功率晶体管 主要用于彩色电视机帧输出和伴音输出 其特点
如下
击穿电压高
饱和压降低
电流容量大
封装形式 TO-92MOD
2 电特性
6. 1max
5. 1max
2.1 限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
额定值
160
单位
V
160
V
6
V
1.0
A
耗散功率(Ta=25
结温
)
Ptot
0.9
W
1. 45
1. 45
E
C B
Tj
150
贮存温度
Tstg
-55 150
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
规 范 值
参 数 名 称
符 号
测 试 条 件
单位
最小 典型 最大
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
ICB0
IEB0
VCB=150V, IE=0
VEB=6V, IC=0
1
1
A
A
R
O
Y
60
120
200
320
0.5
共发射极正向电流传输比
的静态值
VCE=5V
IC=200mA
hFE
100
160
集电极-发射极饱和电压
VCEsat IC=500mA, IB=50mA
V
VCE=5V, IC=200mA
f=10MHz
特征频率
fT
20
MHz
VCB=10V, IE=0
f=1MHz
共基极输出电容
Cob
35
pF
无 锡 华 晶 微 电 子 股 份 有 限 公 司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299
传真 0510 5800360
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华晶分立器件
3DG6511
3 特性曲线
IC-VCE 关系曲线
Ptot-Tamb 关系曲线
I
C (A)
P
tot (W)
Tamb=25
8mA
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.90
0.45
2mA
IB=1mA
100
T( )
0
2
4
6
8
0
50
VCE (V)
VCEsat-IC 关系曲线
hFE-IC 关系曲线
VCEsat (V)
h
FE
Tamb=25
VCE=5V
Tamb=25
IC/IB=10
1
100
10
0.1
0.01
0.01
0.1
IC (A)
IC (A)
0.1
1
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