CNB1009(ON2173) [ETC]
光デバイス － フォトカプラ?フォトセンサ － 反射形フォトセンサ ;
| 型号： | CNB1009(ON2173) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 光デバイス － フォトカプラ?フォトセンサ － 反射形フォトセンサ |
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反射形フォトセンサ
CNB1009 (ON2173)
反射形フォトセンサ
Unit : mm
I 概ꢀ要
12.0 0.3
2-φ2.3
CNB1009は, 発光素子に高効率のGaAs赤外発光ダ
(4.0)
イオードを, 受光素子に高感度のSiフォトトランジ
スタを使い, 両
素子を同
一方向に併置して, 両
素子
(1.0)
1.0
1.0
の前
を物体が通過することでおこる反射光の変化を
検知する光センサです。
19.0 0.3
2-9.5 0.2
φ2.2
I 特ꢀ長
•
•
応答速度が速い : tr , tf = 6 µs (typ.)
小形, 軽量
(15.5)
I 用ꢀ途
2
3
•
•
•
•
•
紙, フィルム, 布などの検知
硬貨, 紙幣の検知
光学式マーク読み取り
ポジション, エッジ検出
1
4
磁気テープなどのスタート, エンドマークの検出
1
2
3
4
Pin connection
I 絶対最大定格 Ta = 25°C
(Note) ( ) Dimension is reference
項目
記号
VR
ダイオード) 順電流(直 IF
定格
単位
入力(発光
逆電圧(直
流値)
3
V
流値) 50 mA
1
*
許容損失
出力(フォト コレクタ電流
PD
IC
75
mW
mA
V
30
20
トランジスタ) コレクタ・エミッタ電圧 VCEO
エミッタ・コレクタ電圧 VECO
5
V
注) 1 : 入力側 の電力低減率は
*
2
コレクタ損失 *
動作周 囲温度
保存温度
PC
100
mW
°C
Ta = 25°C 以上で 1.0 mW/°C
温度
Topr
Tstg
−25 ∼ +85
−30 ∼ +100
2 : 出力側 の電力低減率は
Ta = 25°C 以上で 1.34 mW/°C
*
°C
I 電気的特性 Ta = 25°C
項目
記号
条件
最小 標準 最大 単位
入力特性 順電圧(直
流値)
VF
IR
Ct
IF = 50 mA
VR = 3 V
VR = 0 V, f = 1 MHz
1.2
1.5
V
逆電流(直
流値)
10
µA
端子間容量
50
pF
出力特性 コレクタ遮断電流
コレクタ出力容量
ICEO
CC
IC
VCE = 10 V
0.2
µA
pF
µA
V
VCE = 10 V, f = 1 MHz
VCC = 10 V, IF = 20 mA, RL = 100 Ω
5
1
*
伝達特性 コレクタ電流
100
500
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) IF = 50 mA, IC = 0.1 mA
0.3
3
tr 2 , tf
*
VCC = 10 V, IC = 1 mA, RL = 100 Ω
6
µs
*
応答時間
注) 1 : 伝達特性測定回路(周 囲光は完全に遮断する)
2 : 出力電流がピーク値の10% から90% に上昇する時間
3 : 出力電流がピーク値の90% から10% に下降する時間
*
*
*
VCC
IF
IC
90%
10%
d = 5 mm
RL
tr
tf
90%
注) ( )内は, 従来品
番です
1
CNB1009
反射形フォトセンサ
IF , IC Ta
IF VF
VF Ta
60
60
50
40
30
20
10
0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Ta = 25°C
IF
50
IF = 50 mA
40
10 mA
1 mA
IC
30
20
10
0
−25
−40 −20
0
20
40
60
80
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
20
40
60
80 100
順電圧 VF (V)
周
囲温度 Ta (°C)
周
囲温度 Ta (°C)
IC IF
IC VCE
∆IC Ta
102
102
10
160
120
80
Ta = 25°C
VCC = 5 V
RL = 100 Ω
Ta = 25°C
VCC = 10 V
IF = 20 mA
RL = 100 Ω
10
1
IF = 30 mA
20 mA
1
10 mA
10−1
10−1
40
10−2
10−1
10−2
10−1
0
102
1
10
102
0
20
40
60
80 100
−40 −20
1
10
順電流 IF (mA)
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
周
囲温度 Ta (°C)
ICEO Ta
tr IC
IC d
10
1
103
102
10
800
600
400
200
0
VCC = 10 V
Ta = 25°C
VCE = 10 V
VCC = 10 V
Ta = 25°C
IF = 20 mA
RL = 100 Ω
RL = 1 kΩ
d
10−1
10−2
10−3
500 Ω
100 Ω
1
10−1
10−2
10−1
出力電流(コレクタ) IC (mA)
1
10
0
4
8
12
16
−40 −20
0
20
40
60
80 100
周
囲温度 Ta (°C)
距離 d (mm)
2
安全上のご注意
本製品はガリウムひ素(GaAs)を使用しています。
ガリウムひ素の粉末や蒸気は、人体に対し危険ですので、同製品
焼、破壊、切断、粉砕および化学的な分解を行わないでください。
また、本製品を廃棄する場合には法令にしたがい、一般産業廃棄物や
家庭用ごみと混ぜないでください。
の燃
危険
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資料に記載の製品
および技術で、「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、ま
たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資料に記載の技術情報は製品
の代表特性および応用回路例などを示したものであり、工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
—
一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電
(3) 本資料に記載されている製品
は、標準用途
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品
質、信
頼性が要
求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前
弊社営業窓口までご相談願います。
—
恐れのある用途
に
(4) 本資料に掲載しております製品
りますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合があ
(5) 設計に際して、特に最大定格、動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲でご使用いただき
ますようお願い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥につい
ては弊社として責
また、保証値内のご使用であっても、弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
任を負いません。
(6) 防湿包装を必要
とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを固
くお断り
いたします。
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、お客
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、予告なく常に更新しておりますので、ご検討
にあたっては、早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。
様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
B. 本資料は正確を期し、慎
重 に制作したものですが、記載ミス等の可能性があります。したがって、弊
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。
C. 本資料は、お客
様ご自身でのご利用を意図しております。したがって、弊社の文書による許可なく、
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
いたします。
2001 MAR
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