CPH6411 [ETC]
N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR; N沟道MOS硅晶体管
| 型号： | CPH6411 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| 文件： | 总4页 (文件大小：56K) |
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注文コードNo. N 7 3 8 3
No. N 7383
91003
新
N チャネルM OS 形シリコン電界効果トランジスタ
CPH6411
超高速スイッチング用
特長 ・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃
unit
V
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
V
V
20
DSS
GSS
±10
V
I
D
6
A
I
DP
PW ≦10µs,dutycycle≦1%
セラミック基板(900m m 2 ×0.8m m )装着時
24
1.6
A
P
W
D
チャネル温度
Tch
150
℃
℃
保存周囲温度
Tstg
－55～＋150
電気的特性ElectricalCharacteristics /Ta=25℃
m in
20
typ
m ax unit
V
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V
I =1m A,V =0
GS
(BR)DSS
D
I
DSS
V
=20V,V =0
GS
1
±10
1.3
µA
µA
V
DS
GS
DS
DS
I
GSS
V
V
V
=±8V,V =0
DS
V
(off)
=10V,I =1m A
D
0.4
7.7
GS
yfs
=10V,I =3A
D
11
20
S
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
R
(on)1 I =3A,V =4.5V
GS
26 m Ω
DS
DS
D
(on)2 I =1.5A,V =2.5V
GS
26
37 m Ω
D
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss
Crss
V
=10V,f=1M Hz
=10V,f=1M Hz
1200
200
140
pF
DS
DS
DS
V
V
pF
pF
=10V,f=1M Hz
次ページへ続く。
単体品名表示：KM
外形図ꢀ2151A
(unit:m m )
0.15
2.9
5
6
4
0.05
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1
2
3
0.95
1:Drain
2:Drain
3:Gate
4:Source
5:Drain
6:Drain
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
0.4
SANYO :CPH6
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
91003TS IM ◎佐藤TA-100019 No.7383-1/4
CPH6411
前ページより続く。
m in
typ
20
m ax unit
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
t (on)
d
指定回路において
ꢀꢀꢀ 〃
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
t
r
90
ターンオフ遅延時間
下降時間
t (off)
d
ꢀꢀꢀ 〃
130
100
13
t
f
ꢀꢀꢀ 〃
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgs
Qgd
V
=10V,V =4.5V,I =6A
GS
2
DS
D
3
V
I =6A,V =0
S GS
0.82
1.2
V
SD
スイッチングタイム測定回路図
V
=10V
V
DD
IN
4.5V
0V
I
=3A
D
V
IN
R =3.33Ω
L
D
V
OUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
CPH6411
P. G
50Ω
S
I
D
-- V
I -- V
D GS
DS
6
5
4
3
2
6
5
4
3
2
V
=10V
DS
V
=1.0V
GS
1
0
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
IT05509
ゲート・ソース電圧, V
-- V
GS
IT05510
DS
R
(on) -- V
R
(on) -- Ta
DS
GS
DS
200
150
100
50
40
30
20
Ta=25°C
I =3.0A
D
1.5A
50
0
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
--60 --40 --20
0
20
40
60
80
100 120 140
ゲート・ソース電圧, V
-- V
IT05511
周囲温度, Ta -- °C
IT05512
GS
No.7383-2/4
CPH6411
y
fs -- I
I -- V
F
D
SD
5
3
2
V
=10V
V
=0
GS
DS
3
2
10
7
5
3
2
10
7
5
1.0
7
5
3
2
3
2
1.0
0.1
0.1
0.2
2
3
5
7
2
3
5
7
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT05514
1.0
10
ドレイン電流, I -- A
D
SW Tim e -- I
IT05513
ダイオード順電圧, V
-- V
SD
Ciss, Coss, Crss -- V
D
DS
1000
10000
V
V
=--10V
=--4.5V
7
5
f=1M Hz
DD
GS
7
5
3
2
3
2
Ciss
1000
7
5
100
3
2
7
5
100
7
5
3
2
3
2
10
0.1
10
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
0
2
4
6
8
10
12
IT05516
1.0
10
ドレイン電流, I -- A
D
-- Qg
IT05515
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
DS
V
A S O
GS
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
5
V
=--6V
I
=24A
＜10µs
DS
DP
3
2
I =--3.5A
D
1m s
10
7
5
I =6A
D
3
2
1.0
7
5
3
2
Operation in this
areaislim ited byR (on).
0.1
7
5
DS
Ta=25°C
1パルス
3
2
0.5
0
セラミック基板(900m m 2×0.8m m )装着時
0.01
0.01
0
2
4
6
8
10
12
14
IT05517
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
2
3
5
0.1
1.0
総ゲート電荷量, Qg -- nC
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
IT05518
DS
P
-- Ta
D
2.0
1.6
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta -- °C
IT05519
No.7383-3/4
CPH6411
取り扱い上の注意：本製品は、高速スイッチング用M OSFETですから、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する
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PS
No.7383-4/4
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