DBDD200S33K2C20 [ETC]
IGBT Module ; IGBT模块\n
| 型号： | DBDD200S33K2C20 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | IGBT Module
|
| 文件： | 总4页 (文件大小：146K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD200S33K2C
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = -25°C
3300
Vçç¢
3300
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
200
400
14,0
400
10,0
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
t« = 1 ms
A
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 125°C
kA²s
kW
µs
Spitzenverlustleistung
maximum power dissipation
P笢
tŒÓÒ ÑÍÒ
Mindesteinschaltdauer
minimum turn-on time
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 200 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
IŒ = 200 A, V•Š = 0 V, TÝÎ = 125°C
VŒ
Iç¢
QØ
2,80 3,50
2,80 3,50
V
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 200 A, - diŒ/dt = 1100 A/µs
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
275
325
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 200 A, -diŒ/dt = 1100 A/µs
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
120
220
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 200 A, -diŒ/dt = 1100 A/µs
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 25°C
Vç = 1800 V, V•Š = -15 V, TÝÎ = 125°C
EØþÊ
125
255
mJ
mJ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
110 K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
33,0
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-13
revision: 2.0
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD200S33K2C
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
Vš»¥¡
V†Š ‡
6,0
2,6
kV
kV
V
Teilentladungs Aussetzspannung
RMS, f = 50 Hz, Q«‡ ù 10 pC (acc. to IEC 1287)
partial discharge extinction voltage
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
TÝÎ = 25°C, 100 fit
1800
AlSiC
AlN
DC stability
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
32,0
32,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
19,0
19,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
16,0
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/kW
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
58
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Zweig / per arm
R††óôŠŠó
0,78
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
M
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
Schraube / screw M5
4,25
3,6
-
-
5,75 Nm
4,2 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
M
Gewicht
weight
G
500
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics.
It is valid with the appropriate technical explanations.
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revision: 2.0
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD200S33K2C
Vorläufige Daten
preliminary data
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
400
1000
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : Diode
350
300
250
200
150
100
50
100
10
i:
1
2
3
rÍ[K/kW]: 48,6 27 6,48 25,92
4
τÍ[s]:
0,03 0,1 0,3
1
0
1
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VΠ[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Arbeitsbereich Diode-Wechselr. (SOA)
save operation area diode-inverter (SOA)
Iç = f(Vç)
TÝÎ = 125°C
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
Iç, Modul
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
Vç [V]
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
DD200S33K2C
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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4
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