DBFS50R06YL421 [ETC]
IGBT Module ; IGBT模块\n
| 型号： | DBFS50R06YL421 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | IGBT Module
|
| 文件： | 总9页 (文件大小：187K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
VCES
600
V
Tc= 55°C
Tc= 25°C
IC,nom.
IC
50
55
A
A
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 55°C
ICRM
100
202
+20
50
A
W
V
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Ptot
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
VGES
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
A
Periodischer Spitzenstrom
tp= 1ms
IFRM
100
630
2,5
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min
I²t
A²s
kV
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
VISOL
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
-
typ.
1,95
2,20
max.
2,55
-
VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
VCEsat
VGE(th)
QG
collector emitter saturation voltage
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom
-
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
V
CE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 1mA
4,5
5,5
0,3
2,2
0,2
-
6,5
V
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
µC
nF
nF
mA
nA
-
-
-
-
-
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Cres
-
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
V
CE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
ICES
-
5
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
IGES
-
-
400
prepared by: P. Kanschat
approved: R. Keggenhoff
date of publication: 2002-11-25
revision: 2.1
1 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
typ.
max.
IC= 50A, VCC= 300V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
td,on
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
IC= 50A, VCC= 300V
-
-
42
43
-
-
ns
ns
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
tr
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
-
-
11
12
-
-
ns
ns
V
GE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
IC= 50A, VCC= 300V
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
td,off
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
-
-
120
130
-
-
ns
ns
V
GE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
IC= 50A, VCC= 300V
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
tf
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
-
-
20
30
-
-
ns
ns
V
GE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
IC= 50A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
IC= 50A, VCC= 300V, VGE= 15V
RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Eon
Eoff
-
-
-
-
-
0,5
1,35
225
35
-
-
-
-
-
mJ
mJ
A
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj= 125°C,
Kurzschlussverhalten
SC data
ISC
VCC=360V, VCEmax=VCES -LσCE ·|di/dt|
Modulinduktivität
stray inductance module
LσCE
nH
mΩ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
RCC´/EE´
4
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung
IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
-
-
1,25
1,20
1,7
-
V
V
VF
forward voltage
IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
IF= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
IF= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs
IRM
-
-
88
94
-
-
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
IF= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs
Qr
-
-
3,2
5,4
-
-
µC
µC
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
Erec
-
-
1,05
1,50
-
-
mJ
mJ
2 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Tc= 25°C
R25
-
5
-
kΩ
%
rated resistance
Abweichung von R100
deviation of R100
Tc= 100°C, R100= 493Ω
Tc= 25°C
-5
-
-
-
5
20
-
∆R/R
P25
Verlustleistung
power dissipation
mW
K
B-Wert
B-value
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)]
B25/50
-
3375
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Transistor Wechelr. / transistor inverter
-
-
-
0,62
K/W
K/W
K/W
K/W
Innerer Wärmewiderstand; DC
RthJC
thermal resistance, juncton to case; DC
Diode Wechselrichter / diode inverter
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
-
1,20
Wärmewiderstand; DC
-
0,95
1,50
-
-
RthJH
thermal resistance, junction to heatsink, DC
-
λ
Paste = 1 W / m*K / λ grease = 1 W / m*K
Übergangs-Wärmewiderstand, DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
-
-
0,35
0,45
-
-
K/W
K/W
RthCH
thermal resistance, case to heatsink; DC
λ
Paste = 1 W / m*K / λ grease = 1 W / m*K
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Tvjmax
-
-
-
-
150
125
125
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-40
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Innere Isolation
Al2O3
225
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anpresskraft pro Feder
F
40..80
36
N
mounting force per clamp
Gewicht
weight
G
g
Anschluss - Kühlkörper
terminal to heatsink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal
Kriechstrecke
13,5
5,0
mm
mm
mm
mm
creepage distance
Anschluss - Kühlkörper
terminal to heatsink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal
Luftstrecke
clearance distance
12,0
5,0
3 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
VGE= 15V
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
Tvj= 125°C
100
VGE = 20V
VGE = 15V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
4 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE [V]
IF= f(VF)
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward characteristic of inverse diode (typical)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
VF [V]
5 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste (typisch)
switching losses (typical)
Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC)
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, VCE= 300V, Tvj= 125°C
Eon
Eoff
3
Erec
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
IC [A]
switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE= ±15V, IC= 50A, VCE= 300V, Tvj= 125°C
Eon
Eoff
3
Erec
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
RG [Ω]
6 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand
transient thermal impedance
ZthJH = f (t)
1,0000E+01
1,0000E+00
1,0000E-01
Zth:IGBT
1,0000E-02
0,001
Zth:Diode
0,01
0,1
t (s)
1
10
i
1
2
3
4
ri [K/kW]: IGBT
τi [s]: IGBT
57,0
190,0
0,02088
210,0
532,0
0,14800
885,0
171,0
0,00075
75,0
0,00056
0,25430
330,0
0,25430
ri [K/kW]: Diode
τi [s]: Diode
0,01240
0,12800
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE= ±15V, Tj=125°C
120
100
IC,Chip
IC, Modul
80
60
40
20
0
0
200
400
CE [V]
600
V
7 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Schaltbild
circuit diagram
ϑ
Gehäusemaße
package outline
Bohrplan
drilling layout
8 (9)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS50R06YL4
vorläufige Daten
preliminary data
Gehäusemaße Fortsetzung
package outline contd.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the
belonging technical notes.
9 (9)
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