IPDD0515 [ETC]
Analog IC ; 模拟IC\n
| 型号： | IPDD0515 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | Analog IC
|
| 文件： | 总1页 (文件大小：108K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相关型号：
IPDD60R045CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。
INFINEON
IPDD60R080G7
英飞凌现创新推出双 DPAK (DDPAK)，这是首款顶部冷却 SMD 封装，主要面向大功率 SMPS 应用，如 PC 电源、太阳能、服务器和电信设备等应用。现有高压技术的优点 600V CoolMOS™ G7 超级结 (SJ) MOSFET结合了顶部冷却的创新概念，为 PFC 等高电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，为 LLC 拓扑提供了高端高效解决方案。
INFINEON
IPDD60R102G7
英飞凌现创新推出双 DPAK (DDPAK)，这是首款顶部冷却 SMD 封装，主要面向大功率 SMPS 应用，如 PC 电源、太阳能、服务器和电信设备等应用。现有高压技术的优点 600V CoolMOS™ G7 超级结 (SJ) MOSFET结合了顶部冷却的创新概念，为 PFC 等高电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，为 LLC 拓扑提供了高端高效解决方案。
INFINEON
IPDD60R105CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。
INFINEON
IPDD60R150G7
英飞凌现创新推出双 DPAK (DDPAK)，这是首款顶部冷却 SMD 封装，主要面向大功率 SMPS 应用，如 PC 电源、太阳能、服务器和电信设备等应用。现有高压技术的优点 600V CoolMOS™ G7 超级结 (SJ) MOSFET结合了顶部冷却的创新概念，为 PFC 等高电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，为 LLC 拓扑提供了高端高效解决方案。
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明