VDD181LCTA [ETC]
CMOS; CMOS
ETC 
AnaSem
Analog Semiconductor IC
VDD 系列
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测
CMOS 电压检测器（内置延迟电路）
Rev. C09-09
AnaSem Inc.
.......... Future of the analog world
Rev. C09-09
产品规格书
AnaSem
安纳森半导体
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
VDD 系列
概述
无卤素
RoHS
VDD系列乃用于低电压范围的低功耗，高检测精度的内置延迟电路电压
检测器. VDD系列达成的检测精度是以集成电路内以温度系数调整的高准
确率参考电压值来作基准。本集成电路采用最新的CMOS生产技术和激
光微调技术，与精锐的生产监控。因为内置有延迟电路，延迟检测时间
不需配合外围元件便可以原厂设定之延迟时间范围来选择。
符合标准
特点
z 检测电压范围 ····························································1.8V~6.0V (selectable with a step of 0.1V)
z 工作电压范围 ····························································0.7V~6.0V
z 高精度电压检测 ····················································· ±1% (VDET=1.8V~6.0V)
z 电压检测温度特征 ····················································Typ.±20ppm/°C (VDET=1.8V~6.0V)
z 延迟时间选择 ····························································S/10~50ms,M/50~200ms, L/80~400ms
z 输出类别 ···································································CMOSorN-channel open drain
z 低功耗 ·································································· Typ. 0.6µA (VIN=1.5V)
z 工作温度范围 ····························································–40°C ~ +85°C
z 小型封装 ···································································SOT-23(400mW), SON-4 (400mW)
应用范围
z 微型处理器的从设程序
z 各类系统的开动从设
z 电池充电检测
z 各类系统备用电源，电池开关控制
z 电池寿命检测
z 延迟电路设计
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低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
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VDD 系列
产品型号定义
VDD
设计版本
A : TOPR = –40°C ~ +85°C
IC封装类别
T : SOT-23
N : SON-4
输出形式
延迟时间
C : CMOS式输出
N : N-沟道式输出
S : 10msec~50msec
M : 50msec~200msec
L : 80msec~400msec
电压检测精度
检测电压
1 : ±1%
18 ~ 60 : 在1.8V ~ 6.0V检测电压范围内以
0.1V间隔设定检测电压
e.g.) 18 : 1.8V
30 : 3.0V
PIN脚排位 / IC封装记号 (SOT-23)
z Pin脚排位
VIN
3
位置.
记号
解说
1
2
3
VOUT
VSS
VIN
输出
接地
A B C D E
电压输入
F
F F F
z Marking Specification
2
1
位置
A
记号
C 或 N
18~60
解说
VOUT
VSS
输出模式
检测电压
(顶视图)
BC
D
S, M 或 L
A
延迟时间选择
版本
E
F
厂方设定
生产批号
AnaSem Inc.
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VDD 系列
PIN脚排位 / IC封装记号 (SON-4)
z Pin脚排位
VSS
4
NC
3
位置
记号
VOUT
VIN
解说
1
2
3
4
电压输出
电压输入
A B C D E
NC
不接 (开电路)
F
F F F
VSS
接地
z IC封装记号
2
1
位置
记号
C 或 N
18~60
解说
VOUT
VIN
A
BC
D
输出模式
检测电压
延迟时间选择
版本
(Top view)
S, M 或 L
A
E
厂方设定
F
生产批号
典型应用电路
z
CMOS式输出
z
N-沟道式输出
100KΩ
VOUT
VSS
VOUT
VIN
VIN
VSS
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VDD 系列
IC电路图
z
CMOS式输出
z
N-沟道式输出
VIN
VIN
+
_
+
_
VOUT
VOUT
Delay
circuit
Voltage
Reference
Voltage
Reference
Delay circuit
Vss
Vss
绝对最大工作范围值
项目
电压输入范围
输出电流
符号
规格
单位
V
VIN
IOUT
VOUT
PD
–0.3 ~ +7.0
50
mA
V
电压输出范围
VSS –0.3 ~ VIN +0.3
400 (on PCB)
400 (on PCB)
–40 ~ +85
SOT-23
SON-4
mW
mW
°C
功率耗散 ※1)
PD
工作温度范围
TOPR
TSTG
储存温度范围
–55 ~ +125
°C
注:
※1) 功率耗散规格是依照IC已上PCB板的条件来定
PCB板的尺寸为 50mm×50mm×1.6mm.
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电子规格
(Ta=25°C 除非另有注明)
测试
项目
符号
VIN
条件
最低
一般
-
最高
单位
V
电路
工作电压范围
检测电压
VDET = 1.8V ~ 6.0V
0.7
6.0
1
VDET = 1.8V ~ 6.0V
Ta = –40°C ~ +85°C
VDET
×0.99
VDET
×1.01
VDET
VHYS
VDET
V
1
1
VDET
×0.02
VDET
×0.05
VDET
×0.08
滯後现象范围
V
VIN=0.7V
0.1
1.0
3.0
5.0
6.0
7.0
-
0.35
2.3
8.2
11.1
12.8
13.8
-9.5
9.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
-
-
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
VIN=1.0V
VIN=2.0V
VIN=3.0V
VIN=4.0V
VIN=5.0V
VIN=6.0V
VIN=6.0V
VIN=1.5V
VIN=2.0V
VIN=3.0V
VIN=4.0V
VIN=5.0V
-
N-ch
VDS=0.5V
3
-
输出电流
IOUT
-
-
CMOS P-ch
VDS=2.1V
-1.5
-
4
3
CMOS N-ch
VDS=2.1V
1.5
-
2.1
2.5
2.8
3.0
3.4
100
-
-
μA
电流功耗
ISS
2
-
μA
-
μA
-
μA
流失电流
ILEAK
VIN=6.0V VOUT=6.0V
VDET = 1.8V ~ 6.0V
-
nA
3
1
∆VDET
/
-
电压检测温度特征
±20
-
ppm/°C
ms
ms
ms
∆Ta•VDET Ta = –40°C ~ +85°C
10
50
80
50
200
400
延迟时间
VDR→VOUT inversion
TDLY
VIN = 0.7V ~ 6.0V
-
5
-
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测试电路
z 电路 (1) – 工作电压，检测电压，滯後现象范围，电压检测温度特征
100Kꢀ *1)
R
VIN
VIN
VOUT
V
VSS
V
注 1) :
在CMOS式输出的产品上电阻(100Kꢀ)可以省掉
z 电路 (3) – N-沟道驱动输出电流
z 电路 (2) – 电流功耗
A
VIN
VIN
VIN
VIN
VOUT
A
VOUT
VSS
VSS
VDS
z 电路 (4) – P-沟道驱动输出电流
z 电路 (5) – 延迟时间 (VDR→VOUT 反向)
100Kꢀ *1)
R
VIN
VIN
VDS
VIN
A
VOUT
VOUT
波形型号量度
VSS
VSS
注 1) :
在CMOS式输出的产品上电阻 (100Kꢀ) 可以省掉
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工作原理解说
z 一般运作 (CMOS式输出)
请产考以下CMOS式输出的VDD系列电路图 ;
VIN
+
_
Delay
Circuit
P-ch
N-ch
Voltage
Reference
VOUT
Vss
A. 当输入电压(VIN)高于释放电压(VREL), 输入电压(VIN)会由输出端提供，因此时电路内的N-沟道 三极管
为OFF的状态而P-沟道三极管会成ON的状态。此外, 如输入电压保持在高于设定的检测电压(VDET)时
输出电压会保持与输入电压(VIN)相等。
B. 当输入电压(VIN)下降至低于设定的检测电压
(VDET), 电路内的N-沟道三极管为ON状态，
而 P-沟道三极管会成为OFF。此外，此情况
下电压输出(VOUT)与地电压(VSS)相等。
[ 运作时间表 ]
输入电压 (VIN)
释放电压 (VREL)
检测电压 (VDET)
C. 当输入电压(VIN)下降至低于最低工作电压,
电压输出(VOUT)会成不稳定状况, 或当电压输
出被拉至输入电压时电压输出(VOUT)水平会
达至输入电压(VIN)水平。
最低工作电压
地电压 (VSS)
D. 当输入电压(VIN)上升至高于最低工作电压时,
虽然输入电压(VIN)升高于检测电压(VDET)，
在不超于释放电压(VREL)的情况下，地电压
(VSS)会保持原来的水平。
输出电压 (VOUT)
释放电压 (VREL)
E. 随着延迟时间, 当输入电压(VIN)升至超于释
放电压(VREL)时，内置的N-沟道三极管会成
OFF状态，而P-沟道三极管会成ON状态。此
外, 在此情况下输出电压(VOUT)与输入电压
(VIN)相等. 此释放电压(VREL)与检测电压(VD
ET)的相差乃滯後现象范围(VHYS)。
Detection voltage (VDET)
滯後现象范围(VHYS)
延迟时间 (TDLY)
最低工作电压
地电压 (VSS)
A B
C
D E
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一般特征 – 供应电流 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
3.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2.5
2.0
1.5
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=-40°C
Ta=+25°C
Ta=-40°C
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
Ta=+85°C
VIN=0V~6.0V, Step=0.2V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=-40°C
Ta=+25°C
Ta=-40°C
0.5
0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
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VDD 系列
一般特征 – 检测和释放电压 vs. 温度
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
1.92
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
2.66
2.64
Release Voltage
1.90
Release Voltage
2.62
2.60
2.58
2.56
2.54
2.52
1.88
1.86
1.84
1.82
Detect Voltage
Detect Voltage
1.80
1.78
2.50
2.48
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Ambient Temperature : Ta (°C)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
4.80
3.75
3.70
3.65
3.60
Release Voltage
4.75
4.70
4.65
4.60
4.55
Release Voltage
3.55
3.50
3.45
Detect Voltage
Detect Voltage
4.50
4.45
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Ambient Temperature : Ta (°C)
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VDD 系列
一般特征 – 输出电压 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
2.5
3.0
VDET
VDET
VREL
VREL
2.5
2.0
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Input Voltage : VIN (V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
4.0
5.0
VDET
VREL
VDET
VREL
4.5
3.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
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VDD 系列
一般特征 – N-沟道驱动 vs. VDS
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
1.2
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
1.1
1.0
VIN=0.8V
VIN=0.8V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VIN=0.7V
VIN=0.7V
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VDS (V)
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VDS (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451MCTA (CMOS 4.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
1.2
1.1
1.0
1.2
1.1
1.0
VIN=0.8V
VIN=0.8V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
VIN=0.7V
VIN=0.7V
0
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VDS (V)
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
VDS (V)
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VDD 系列
一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. VDS (续)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
Ta=25°C
Ta=25°C
18.0
16.0
14.0
12.0
10.0
10.0
9.0
VIN=2.0V
VIN=1.5V
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
VIN=1.5V
8.0
6.0
4.0
2.0
0
VIN=1.0V
3.0
2.0
1.0
0
VIN=1.0V
1.0
0
0.5
1.5
2.0
2.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VDS (V)
VDS (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451MCTA (CMOS 4.5V)
Ta=25°C
Ta=25°C
40.0
35.0
30.0
25.0
20.0
15.0
60.0
50.0
40.0
30.0
VIN=4.0V
VIN=3.0V
VIN=2.0V
VIN=3.5V
VIN=2.5V
VIN=3.0V
VIN=2.5V
VIN=2.0V
VIN=1.5V
20.0
VIN=1.5V
10.0
5.0
0
10.0
0
VIN=1.0V
1.0
0
0.5
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
VDS (V)
VDS (V)
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VDD 系列
一般特征 – N-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
12.0
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
z VDD451SCTA (CMOS 4.5V)
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
VDS=0.5V, VIN=0~VREL, Step=0.2V
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
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VDD 系列
一般特征 – P-沟道驱动输出电流 vs. 输入电压
z VDD181SCTA (CMOS 1.8V)
Ta=25°C
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
VDS=2.1V
VDS=1.5V
VDS=1.0V
5.0
4.0
3.0
2.0
VDS=0.5V
1.0
0
0
1
2
2
2
3
4
5
5
5
6
7
7
7
8
Input Voltage : VIN (V)
z VDD251SCTA (CMOS 2.5V)
Ta=25°C
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
VDS=2.1V
VDS=1.5V
VDS=1.0V
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
VDS=0.5V
0
1
3
4
6
8
Input Voltage : VIN (V)
z VDD351SCTA (CMOS 3.5V)
Ta=25°C
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
VDS=2.1V
VDS=1.5V
VDS=1.0V
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
VDS=0.5V
0
1
3
4
6
8
Input Voltage : VIN (V)
AnaSem Inc.
14
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
一般特征 – 延迟时间选择 vs. 温度
z VDD221MCTA (CMOS 2.2V)
z VDD271MCTA (CMOS 2.7V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
200
180
160
140
120
200
180
160
140
120
100
80
100
80
60
60
VIN=6.0V
VIN=5.4V
VIN=6.0V
VIN=5.4V
40
40
20
20
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Ambient Temperature : Ta (°C)
z VDD271SNTA (N-ch 2.7V)
z VDD301MCTA (CMOS 3.0V)
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
VIN=0V~6.0V, Step=10°C
50
45
40
35
30
200
180
160
140
120
25
20
15
100
80
60
VIN=6.0V
VIN=5.4V
VIN=6.0V
VIN=5.4V
10
5
40
20
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
-50 -40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
Ambient Temperature : Ta (°C)
Ambient Temperature : Ta (°C)
AnaSem Inc.
15
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
一般特征 – 延迟时间选择 vs. 输入电压
z VDD221MCTA (CMOS 2.2V)
z VDD271MCTA (CMOS 2.7V)
VIN=2.36V~6.0V, Step=0.2V
180
VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V
180
160
140
120
100
80
160
140
120
100
80
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
60
40
60
40
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
z VDD271SNTA (N-ch 2.7V)
z VDD301MCTA (CMOS 3.0V)
VIN=2.88V~6.0V, Step=0.2V
VIN=3.2V~6.0V, Step=0.2V
50
180
160
140
120
100
80
45
40
35
30
25
20
15
10
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
Ta=+25°C
Ta=–40°C
Ta=+85°C
60
40
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
Input Voltage : VIN (V)
Input Voltage : VIN (V)
AnaSem Inc.
16
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
IC封装尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
0~30°
2.9±0.2
0.4±0.1
(Marked Side)
0~0.1
0~10°
+0.11
–0.05
0.15
0.4±0.1
0.4±0.1
0.95
1.9±0.2
0.95
1.1±0.15
贴装尺寸建议
0.8
0.8
0.8
0.95
0.95
1.9
AnaSem Inc.
17
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
角膜贴装和IC装带规格 (SOT-23)
(单位 : mm)
4.0±0.1
+0.1
ø1.5 –0
0.2±0.05
2.0±0.05
Mark
Mark
1.65 max.
4.0±0.1
3.35±0.1
ø1.05±0.05
装带方向
装卷尺寸 (SOT-23)
(单位 : mm)
90°
120°
2.0±0.5
9.0±0.5
(3,000 pcs / 卷)
AnaSem Inc.
18
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
IC封装尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
1.3
+0.10
-0.05
0.3
(Marked side)
0.6±0.05
0.35 +-00..0150
2.0±0.2
2.0±0.2
贴装尺寸建议
0.45
0.45
0.5
0.45
1.3
AnaSem Inc.
19
.......... Future of the analog world
低电压, 低功耗, ±1% 高精度电压检测内置延迟电路 CMOS 电压检测器
Rev. C09-09
VDD 系列
角膜贴装和IC装带规格 (SON-4)
(单位 : mm)
4.0±0.1
+0.1
ø1.5 –0
0.25±0.05
2.0±0.05
Mark
Mark
0.75±0.1
4.0±0.1
2.4±0.1
ø1.05±0.05
装带方向
装卷尺寸 (SON-4)
(单位 : mm)
90°
120°
2.0±0.5
9.0±0.5
(3,000 pcs / reel)
AnaSem Inc.
20
.......... Future of the analog world
AnaSem
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于通过不断地设计和功能上的改良来为客户提供最好的产品。我们建议客户在订购安纳森产品前先与核准的销售代
理核查最新的资料与更新的产品情报来确保所订购之产品为最新的版本。了解和参照规格书内的指定用法和规格是
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