FF200R06KE3 [EUPEC]
62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode; 62毫米C- Serien模块沟/场终止IGBT3和EmCon3二极管
| 型号： | FF200R06KE3 |
| 厂家： | 
EUPEC GMBH |
| 描述： | 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode |
| 文件： | 总8页 (文件大小：290K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06KE3
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emcon3 Diode
62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
200
260
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
400
680
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 200 A, V•Š = 15 V
I† = 200 A, V•Š = 15 V
I† = 200 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,45 1,90
1,60
1,70
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 3,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
4,9
5,8
2,10
1,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
13,0
0,38
nF
nF
mA
nA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
400
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 200 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,11
0,12
0,13
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 200 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,05
0,06
0,06
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 200 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,49
0,52
0,53
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 200 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,05
0,07
0,07
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 200 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
2,90
3,30
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 200 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
mJ
EÓËË
7,90
8,30
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C
1400
1000
A
A
IȠ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,22 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
0,03
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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revision: 2.3
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1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
600
200
400
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
5000
4700
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 200 A, V•Š = 0 V
IŒ = 200 A, V•Š = 0 V
IŒ = 200 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 200 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
130
160
170
A
A
A
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 200 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
9,00
16,0
19,0
µC
µC
µC
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 200 A, - diŒ/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
2,30
4,10
4,70
mJ
mJ
mJ
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,42 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,06
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
29,0
23,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
23,0
11,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 425
min. typ. max.
0,01
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
20
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,70
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
2,5
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
terminal connection torque
Gewicht
weight
340
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
400
400
360
320
280
240
200
160
120
80
360
320
280
240
200
160
120
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
40
40
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 3,9 Â, R•ÓËË = 3,9 Â, V†Š = 300 V
400
20
360
320
280
240
200
160
120
80
18
16
14
12
10
8
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
6
4
40
2
0
0
5
6
7
9
V•Š [V]
10
11
12
0
50
100 150 200 250 300 350 400
I† [A]
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 200 A, V†Š = 300 V
30
1
27
24
21
18
15
12
9
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
0,1
0,01
6
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0132 0,0726 0,0704 0,0638
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
3
0
0,001
0,001
0
3
6
9
12 15 18 21 24 27 30
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 3,9 Â, TÝÎ = 150°C
500
400
300
200
100
400
360
320
280
240
200
160
120
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
I†, Modul
I†, Chip
40
0
0
0
100
200
300 400
V†Š [V]
500
600
700
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VΠ[V]
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 3,9 Â, V†Š = 300 V
IŒ = 200 A, V†Š = 300 V
6
7
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
6
5
4
3
2
1
0
5
4
3
2
1
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
IΠ[A]
0
3
6
9
12
R• [Â]
15
18
21
24
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0252 0,1386 0,1344 0,1218
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
j n
j n
i
i
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7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06KE3
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten
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- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
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