FF200R06ME3 [INFINEON]
EconoDUALâ¢2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC; EconoDUALa ? ¢ 2 MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射控制3二极管UND NTC型号: | FF200R06ME3 |
厂家: | Infineon |
描述: | EconoDUALâ¢2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
EconoDUAL™2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC
EconoDUAL™2 module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
Vorläufige Daten / preliminary data
V†Š» = 600V
I† ÒÓÑ = 200A / I†ç¢ = 400A
Typische Anwendungen
Typical Applications
High Power Converters
Motor Drives
Hochleistungsumrichter
••
Motorantriebe
••
••
USV-Systeme
UPS Systems
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Niedrige Schaltverluste
Low Switching Losses
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
Low V†ŠÙÈÚ
••
••
••
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
niedriges V†ŠÙÈÚ
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
Package with CTI > 200
Isolated Base Plate
Standard Housing
Gehäuse mit CTI > 200
••
Isolierte Bodenplatte
••
Standardgehäuse
••
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 2.2
material no: 31173
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
200
260
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
400
680
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 200 A, V•Š = 15 V
I† = 200 A, V•Š = 15 V
I† = 200 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,45 1,90
1,60
1,70
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 3,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
4,9
5,8
2,10
1,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
13,0
0,38
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 200 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,11
0,12
0,13
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 200 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,05
0,06
0,06
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 200 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,49
0,52
0,53
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 200 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,05
0,07
0,07
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 200 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 3500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
2,50
3,50
4,00
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 200 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
5,50
8,00
8,50
mJ
mJ
mJ
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C
1400
1000
A
A
IȠ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,22 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,061
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
600
200
400
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
2850
2700
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 200 A, V•Š = 0 V
IŒ = 200 A, V•Š = 0 V
IŒ = 200 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,55 1,95
1,50
1,45
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 200 A, - diŒ/dt = 3500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
140
170
180
A
A
A
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 200 A, - diŒ/dt = 3500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
8,00
16,0
17,0
µC
µC
µC
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 200 A, - diŒ/dt = 3500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
2,50
4,00
4,50
mJ
mJ
mJ
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,42 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,115
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
12,0
20,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,4
20,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min. typ. max.
0,02
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
30
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
2,20
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M5 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
3,0
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
terminal connection torque
Gewicht
weight
200
Power Cyling Zuverlässigkeit bei Tvjop=125°C:
- entspricht gültiger Spezifikation für Standard Module bei Tvjmax=125°C; 300.000 Zyklen @ dTj=50K
Power Cyling Capability at Tvjop=125°C:
- according to valid specification for standard modules at Tvjmax=125°C; 300.000 cycles @ dTj=50K
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
400
400
360
320
280
240
200
160
120
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
360
320
280
240
200
160
120
80
40
40
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 3.9 Â, R•ÓËË = 3.9 Â, V†Š = 300 V
400
18
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
360
16
320
14
280
240
200
160
120
80
12
10
8
6
4
2
40
0
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
50
100 150 200 250 300 350 400
I† [A]
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 200 A, V†Š = 300 V
50
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0,1
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0132 0,0726 0,0704 0,0638
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
0,001
0,001
0
5
10
15
R• [Â]
20
25
30
35
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 3.9 Â, TÝÎ = 150°C
500
400
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
360
400
300
200
100
0
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
100
200
300 400
V†Š [V]
500
600
700
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
VŒ [V]
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 3.9 Â, V†Š = 300 V
IŒ = 200 A, V†Š = 300 V
7
6
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
6
5
4
3
2
1
0
5
4
3
2
1
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400
IŒ [A]
0
5
10
15
R• [Â]
20
25
30
35
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0252 0,1386 0,1344 0,1218
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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revision: 2.2
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R06ME3
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
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contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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date of publication: 2009-08-12
revision: 2.2
9
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